[发明专利]无电镀金液有效

专利信息
申请号: 200810130126.5 申请日: 2008-07-24
公开(公告)号: CN101634021A 公开(公告)日: 2010-01-27
发明(设计)人: 蓬田浩一 申请(专利权)人: 罗门哈斯电子材料有限公司
主分类号: C23C18/44 分类号: C23C18/44
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 陈哲锋
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 镀金
【说明书】:

技术领域

本发明涉及无电镀金液。本发明更进一步涉及可用来在镍或铜之类的 金属表面上沉积金的无电镀金液(electroless gold plating solution)。

背景技术

常规来说,采用镀金作为电子工业部件的最终表面处理,所述电子工 业部件是例如印刷电路板、陶瓷IC组件、ITO板和IC卡等,这是因为金具有 的导电性、可焊性、物理特征如热卷边连接性(connectivity by thermal crimp) 和抗氧化性。对于这些电子工业部件中的大部分来说,优选采用无电镀覆 而不采用电镀,这是因为需要对具有复杂形状的电独立部件进行镀金。

印刷电路板通常在基底金属(例如铜配线)表面上进行无电镀镍,经常 还在镍的表面上进行无电镀金。对于这种情况,置换(substitution)镀金液和 自催化无电镀金液是人们众所周知的,所述置换镀金液能够在溶解镍之类 的基底金属的同时沉积金,自催化无电镀金液能够通过对金具有催化活性 的还原剂的作用沉积金。置换镀金通过金和基底金属之间的置换反应沉积 金,即使在采用自催化无电镀金的时候,在引发自催化无电镀金反应的时 候也要利用置换镀金反应。换而言之,在自催化无电镀金液和镀覆对象接 触之后,立刻因为基底金属和金之间的置换反应发生金的沉积。所述无电 镀金的置换反应利用基底金属的溶解作为沉积金的驱动力。该置换反应是 通过晶粒边界等之类的基底金属的结构进行的,因此基底金属的溶解水平 存在差异。相较于其他的区域,置换反应优选发生在基底金属的晶粒边界 等之类的材料显著较弱的区域,换而言之,基底金属的溶解产生了不一致 性。开始于基底金属的不均匀溶解的基底金属腐蚀会造成一些问题,例如 所得镀金膜和基底金属粘着性的局部脆化,和较低的焊料结合强度。

人们已经提出了具有氰基的置换镀金液还包含氯化铵,以控制基底金 属的局部腐蚀(例如,参见日本未审专利申请S59-6365),或者还包含含氮 化合物,例如金沉积控制剂(例如,参见日本未审专利申请2000-144441), 或者还包含聚乙烯亚胺(例如,日本未审专利申请2003-13248)。然而,尽 管这些无电镀金液能够一定程度上减少作为基底金属层的镍膜的腐蚀,但 是仍然存在镀金膜沉积速度减小的问题,这是因为镍膜的溶解速度减小。

本发明的目的是解决上述问题,提供一种无电镀金液,使其能够在不 造成基底金属腐蚀的前提下均匀镀覆和提高与基底金属的粘着性。

发明内容

为了解决上述问题,本发明人通过辛劳的研究,发现可通过使用包含 特定组分的组合的无电镀金液达成上述目标,从而完成了本发明。换而言 之,本发明涉及一种无电镀金液,其用来在金属的表面上进行金属镀覆, 该无电镀金液包含:

(i)水溶性氰化金化合物;

(ii)络合剂;

(iii)吡啶鎓羧酸类(pyridinium carboxylate)化合物,其在1位具有苯基或 芳烷基。

而且,本发明提供了一种无电镀金液,其还包含;

(iv)作为基底金属表面处理剂的至少一种化合物,其选自甲酸及其盐, 以及肼及其衍生物。

而且,本发明还提供了一种用来在金属表面上进行镀金的无电镀金液, 其包含:

(i)水溶性氰化金化合物;

(ii)包括选自乙二胺四亚甲基膦酸或其衍生物的至少一种的络合剂;

(iii)至少一种化合物,其选自1位具有苯基或芳烷基的吡啶鎓羧酸类化 合物;

(iv)作为基底金属表面处理剂的至少一种化合物,其选自肼及其衍生 物;

(v)选自多羧酸及其盐的至少一种化合物。

具体实施方式

通过使用本发明的无电镀金液,可以抑制基底金属的不希望出现的溶 解,即腐蚀,可以提高粘着性,可以形成均匀的金镀膜,而且可以提高金 的沉积速率。

而且,本发明的无电镀金液可以沉积具有良好外观和良好焊料结合强 度的金膜,同时不会造成镍之类的基底金属局部腐蚀。

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