[发明专利]电子设备及其制造方法和半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

形成有集成电路的半导体基板；

按照与所述集成电路电连接的方式形成于所述半导体基板上的多个第1电极和多个第2电极；

在所述半导体基板的面上由穿过中心的直线分割成2个区域的第1和第2区域中的所述第1区域配置的至少1个第1树脂突起；

配置于所述第2区域的至少1个第2树脂突起；

按照从所述多个第1电极上到所述第1树脂突起上为止的方式形成的多个即n₁个第1布线，其中n₁为大于1的整数；和

按照从所述多个第2电极上到所述第2树脂突起上为止的方式形成的多个即n₂个第2布线，其中n₂＜n₁；

所述第1树脂突起和所述第2树脂突起由相同材料构成，形成为以相同的宽度沿着长边方向延伸的形状；

各个所述第1布线按照和所述第1树脂突起的长轴交叉的方式延伸，在所述第1树脂突起上有第1宽度W₁；

各个所述第2布线按照和所述第2树脂突起的长轴交叉的方式延伸，在所述第2树脂突起上有第2宽度W₂，其中W₁＜W₂；

有W₁×n₁＝W₂×n₂的关系。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述多个第1布线空出彼此相邻的间隔，形成于所述第1树脂突起的朝向和所述半导体基板相反的上表面；

所述多个第2布线空出彼此相邻的间隔，形成于所述第2树脂突起的朝向和所述半导体基板相反的上表面；

所述第1树脂突起的所述上表面按照彼此相邻的所述第1布线间的区域比起所述第1布线的正下方的区域，更接近所述半导体基板的方式形成；

所述第2树脂突起的所述上表面按照彼此相邻的所述第2布线间的区域比起所述第2布线的正下方的区域，更接近所述半导体基板的方式形成。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1树脂突起按照比起所述上表面，下表面较宽阔的方式形成；

所述第2树脂突起按照比起所述上表面，下表面较宽阔的方式形成。

4.根据权利要求1到3任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板形成为矩形；

所述第1树脂突起配置于距所述矩形的所有边中第1边最近的位置；

所述第2树脂突起配置于距所述矩形的所有边中与所述第1边对置的第2边最近的位置。

5.一种电子设备，具有半导体装置、电路基板和粘接剂，其中

所述半导体装置具有：

形成有集成电路的半导体基板；

按照与所述集成电路电连接的方式形成于所述半导体基板上的多个第1电极和多个第2电极；

在所述半导体基板的面上由穿过中心的直线分割成2个区域的第1和第2区域中的所述第1区域配置的至少1个第1树脂突起；

配置于所述第2区域的至少1个第2树脂突起；

按照从所述多个第1电极上到所述第1树脂突起上为止的方式形成的多个即n₁个第1布线，其中n₁为大于1的整数；和

按照从所述多个第2电极上到所述第2树脂突起上为止的方式形成的多个即n₂个第2布线，其中n₂＜n₁；

所述第1树脂突起和所述第2树脂突起由相同材料构成，形成为以相同的宽度沿着长边方向延伸的形状；

各个所述第1布线按照和所述第1树脂突起的长轴交叉的方式延伸，在所述第1树脂突起上有第1宽度W₁；

各个所述第2布线按照和所述第2树脂突起的长轴交叉的方式延伸，在所述第2树脂突起上有第2宽度W₂，其中W₁＜W₂，有W₁×n₁＝W₂×n₂的关系；

所述电路基板搭载所述半导体装置，形成有与所述多个第1布线和所述多个第2布线对置电连接的布线图案；

所述粘接剂介于所述半导体装置和所述电路基板之间。