[发明专利]存储器

权利要求书

1.一种存储器，包括：

多根字线；

配置为与所述多根字线交叉的多根位线；

分别配置在所述字线与所述位线交叉的位置上的多个存储器单元；和

与所述位线连接的选择电路；

所述选择电路的电流驱动能力根据所述位线所配置的位置而不同。

2.根据权利要求1所述的存储器，其中，

所述选择电路的电流驱动能力构成为：与所述多根位线中的配置于中央部的所述位线所连接的所述选择电路的电流驱动能力相比，配置于端部的所述位线所连接的所述选择电路的电流驱动能力更小。

3.根据权利要求2所述的存储器，其中，

所述选择电路的电流驱动能力构成为：随着从所述多根位线中的配置于中央部的所述位线向配置于端部的所述位线变化，与所述位线连接的所述选择电路的电流驱动能力逐渐减小。

4.根据权利要求2所述的存储器，其中，

还包括：

杂质区域，其配置为沿所述字线延伸的方向延伸；和

第一金属布线，其按照规定的间隔对所述字线和所述杂质区域进行电连接；

所述位线在所述第一金属布线之间隔开规定间隔配置，

所述选择电路的电流驱动能力构成为：与所述第一金属布线间配置的多根位线中的配置于中央部的所述位线所连接的所述选择电路的电流驱动能力相比，配置于端部的所述位线所连接的所述选择电路的电流驱动能力更小。

5.根据权利要求4所述的存储器，其中，

所述多个存储器单元分别包含二极管，

所述杂质区域构成所述多个存储器单元所包含的多个所述二极管共用的阴极。

6.根据权利要求2所述的存储器，其中，

所述选择电路由晶体管构成，

所述晶体管的栅极宽度构成为：与所述多根位线中的配置于中央部的所述位线所连接的所述晶体管的栅极宽度相比，配置于端部的所述位线所连接的所述晶体管的栅极宽度更小。

7.根据权利要求6所述的存储器，其中，

所述晶体管的栅极宽度构成为：随着从所述多根位线中的配置于中央部的所述位线向配置于端部的所述位线变化，与所述位线连接的所述晶体管的栅极宽度逐渐减小。

8.根据权利要求2所述的存储器，其中，

所述选择电路由晶体管构成，

还包括连接所述晶体管的源极/漏极区域的一方和所述位线的第二金属布线，

对所述晶体管的源极/漏极区域的一方和所述第二金属布线进行电连接的接触部的数量构成为：与对所述多根位线中的配置于中央部的所述位线所连接的所述晶体管的源极/漏极区域的一方和所述第二金属布线进行电连接的所述接触部的数量相比，对配置于端部的所述位线所连接的所述晶体管的源极/漏极区域的一方和所述第二金属布线进行电连接的所述接触部的数量更少。

9.根据权利要求8所述的存储器，其中，

对与所述位线连接的所述晶体管的源极/漏极区域的一方和所述第二金属布线进行电连接的所述接触部的数量构成为：随着从所述多根位线中的配置于中央部的所述位线向配置于端部的所述位线变化而逐渐减少。

10.一种存储器，包括：

多根字线；

多根位线，配置为与所述多根字线交叉；

第一晶体管，其与所述多根字线的每一根连接，通过选择所对应的所述字线而变为导通状态；

多个存储器单元，分别包含阴极与所述第一晶体管的源极/漏极区域的一方连接的二极管；

源极线，其与所述第一晶体管的源极/漏极区域的另一方连接；和

数据判别电路，其与所述源极线连接，用于对从选择出的所述存储器单元读出的数据进行判别；

所述位线的驱动能力根据所述位线所配置的位置而不同。

11.根据权利要求10所述的存储器，其中，

所述多根位线配置为隔开规定间隔地相邻，

所述位线的驱动能力构成为：与所述相邻地配置的多根位线中的配置于中央部的所述位线的驱动能力相比，配置于端部的所述位线的驱动能力更小。