[发明专利]存储器

说明书

技术领域

本发明涉及存储器，尤其涉及掩模ROM等存储器。

背景技术

以往，作为存储器的一例，公知将分别包含二极管的多个存储器单元配置为矩阵状的交叉点型的掩模ROM(以下称为二极管ROM)。在以往的一例的二极管ROM中，具备：多根字线；配置为与多根字线交叉并隔开规定的间隔而相邻配置的多根位线；包含配置于字线与位线交叉的位置上的二极管的多个存储器单元；与位线连接并用于判别从所选择的存储器单元读出的数据的读出放大器(数据判别电路)。在该二极管ROM中，通过由读出放大器检测经由位线及二极管从读出放大器流向字线的电流，从而进行存储器单元的数据的判别。其中，与各字线连接的存储器单元各自所包含的二极管的阴极由共同的杂质区域构成。

然而，在现有的二极管ROM中，使从各位线流向字线的端部的电流所通过的杂质区域的距离对于每根位线而言不同，从而在位线与字线的端部之间的杂质区域的距离短的情况下，单元电流增大，在距离长的情况下，单元电流减小。因此，在位线与字线的端部之间的杂质区域短的情况下，由于在位线中流过大的电流，故存在作为整体而言消耗电流(消耗电力)增加的问题。

发明内容

本发明的第一方面的存储器构成为具备：多根字线；配置为与多根字线交叉的多根位线；分别配置于字线与位线交叉的位置上的多个存储器单元；和与位线连接的选择电路；选择电路的电流驱动能力根据位线所配置的位置而不同。

本发明的第二方面的存储器构成为具备：多根字线；配置为与多根字线交叉的多根位线；第一晶体管，其与多根字线的每一根连接，通过选择所对应的字线而变为导通状态；多个存储器单元，分别包含阴极与第一晶体管的源极/漏极区域的一方连接的二极管；源极线，其与第一晶体管的源极/漏极区域的另一方连接；和数据判别电路，其与源极线连接，用于对从选择的存储器单元读出的数据进行判别；位线的驱动能力根据位线所配置的位置而不同。

本发明的第三方面的存储器构成为具备：多根字线；配置为与多根字线交叉的多根位线；分别配置于字线与位线交叉的位置上的多个存储器单元；与多根位线分别连接的多个开关元件；开关元件的驱动能力根据位线所配置的位置而不同。

附图说明

图1是表示本发明第一实施方式涉及的交叉点型的二极管ROM的构成的电路图。

图2是表示本发明第一实施方式涉及的交叉点型的二极管ROM的构成的平面布局图。

图3是沿图2的100-100线的剖视图。

图4是表示本发明第二实施方式涉及的交叉点型的二极管ROM的构成的平面布局图。

图5是表示本发明第三实施方式涉及的交叉点型的二极管ROM的构成的电路图。

图6是表示本发明第三实施方式涉及的交叉点型的二极管ROM的构成的平面布局图。

图7是沿图6的200-200线的剖视图。

图8是表示本发明第四实施方式涉及的交叉点型的二极管ROM的构成的平面布局图。

具体实施方式

以下根据附图对本发明的实施方式进行说明。

(第一实施方式)

如图1所示，第一实施方式涉及的掩模ROM包括：地址输入电路1、行译码器2、列译码器3、读出放大器4、输出电路5和存储器单元阵列区域6。地址输入电路1构成为：通过从外部输入规定的地址，从而向行译码器2与列译码器3输出地址数据。再有，行译码器2连接有字线7。另外，行译码器2通过从地址输入电路1输入地址数据，从而选择与所输入的地址数据对应的字线7，使该字线7的电位下降为L电平(GND＝0V)。由此，所选择的字线7以外的字线7的电位变为H电平(Vcc)。

再有，列译码器3上连接有配置为与字线7正交的多根位线8。还有，列译码器3通过从地址输入电路1输入地址数据，从而选择与所输入的地址对应的位线8，并且通过后述的p型晶体管42连接所选择的位线8与读出放大器4。其中，晶体管42是本发明的“选择电路”及“开关元件”的一例。再有，读出放大器4检测由列译码器3选择的位线8中流过的电流，在所选择的位线8中流过规定电流以上的电流时输出H电平的信号，并且在所选择的位线8中流过少于规定电流的电流时输出L电平的信号。还有，输出电路5构成为通过输入读出放大器4的输出，从而向外部输出信号。