[发明专利]像素、有机发光显示器和相关方法有效
申请号: | 200810130284.0 | 申请日: | 2008-06-23 |
公开(公告)号: | CN101329837A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 郑京薰 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;罗延红 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 有机 发光 显示器 相关 方法 | ||
1.一种像素,包括:
有机发光二极管,具有结合到第二电源的阴极;
第一晶体管,具有结合到第一电源的源极、结合到第一节点的控制栅极 和结合到第二节点的漏极;
第二晶体管,具有结合到数据线的源极、结合到第一节点的漏极和结合 到扫描线的栅极;
第三晶体管,具有结合到第二节点的源极、结合到有机发光二极管的阳 极的漏极和结合到发光控制线和扫描线之一的栅极;
电容器,结合在第一电源和第一节点之间,
其特征在于,第一晶体管包括浮置栅极以及浮置栅极和控制栅极之间的 绝缘层。
2.如权利要求1所述的像素,其中,第三晶体管的栅极结合到发光控制 线。
3.如权利要求2所述的像素,其中,第一晶体管、第二晶体管和第三晶 体管为PMOS晶体管。
4.如权利要求2所述的像素,其中,第一晶体管为NMOS晶体管,第 二晶体管和第三晶体管为PMOS晶体管。
5.如权利要求1所述的像素,其中,第三晶体管的栅极结合到扫描线, 当第二晶体管处于截止状态时,第三晶体管处于导通状态。
6.如权利要求5所述的像素,其中,第一晶体管和第二晶体管为PMOS 晶体管,第三晶体管为NMOS晶体管。
7.一种有机发光显示器,包括:
像素单元,具有多个像素;
数据驱动器,结合到像素单元的数据线;
扫描驱动器,结合到像素单元的扫描线,
其中,每个像素包括:
有机发光二极管,具有结合到第二电源的阴极,
第一晶体管,具有结合到第一电源的源极、结合到第一节点的控制 栅极和结合到第二节点的漏极,
第二晶体管,具有结合到数据线的源极、结合到第一节点的漏极和 结合到扫描线的栅极,
第三晶体管,具有结合到第二节点的源极、结合到有机发光二极管 的阳极的漏极和结合到发光控制线和扫描线之一的栅极,
电容器,结合在第一电源和第一节点之间,
其特征在于,第一晶体管包括浮置栅极以及浮置栅极和控制栅极之间的 绝缘层。
8.如权利要求7所述的有机发光显示器,其中,扫描驱动器结合到像素 单元的发光控制线,每个像素的第三晶体管的栅极结合到发光控制线。
9.如权利要求8所述的有机发光显示器,其中,第一晶体管、第二晶体 管和第三晶体管为PMOS晶体管。
10.如权利要求8所述的有机发光显示器,其中,第一晶体管为NMOS 晶体管,第二晶体管和第三晶体管为PMOS晶体管。
11.如权利要求7所述的有机发光显示器,其中,每个像素的第三晶体 管的栅极结合到扫描线,当像素的第二晶体管处于截止状态时,每个像素的 第三晶体管处于导通状态。
12.如权利要求11所述的有机发光显示器,其中,第一晶体管和第二晶 体管为PMOS晶体管,第三晶体管为NMOS晶体管。
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