[发明专利]像素、有机发光显示器和相关方法有效
申请号: | 200810130284.0 | 申请日: | 2008-06-23 |
公开(公告)号: | CN101329837A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 郑京薰 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;罗延红 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 有机 发光 显示器 相关 方法 | ||
技术领域
实施例涉及一种像素、一种表现出改善的图像质量的有机发光显示器及 其驱动方法。
背景技术
已经广泛地使用了使用薄膜晶体管来显示图像的有源矩阵型平板显示 器。有机发光显示器可以表现出优良的发光效率、亮度和视角,并可以具有 快速的响应速度。有机发光显示器通过使用多个有机发光二极管(OLED)来显 示图像。有机发光二极管可以包括阳极电极、阴极电极以及在阳极电极和阴 极电极之间的有机发光层。
图1是示出了通常的有机发光显示器的像素的结构的电路图 (US2007/0057877A1)。参照图1,像素包括第一晶体管、第二晶体管、第三 晶体管、电容器和有机发光二极管(OLED)。
第一晶体管M1的源极结合到第一电源线,第一晶体管M1的漏极结合 到第三晶体管的源极,第一晶体管M1的栅极结合到第一节点N1。与第一节 点N1的电压对应,第一晶体管M1允许电流从源极流动至漏极。
第二晶体管M2的源极结合到数据线Dm,第二晶体管M2的漏极结合到 第一节点N1,第二晶体管M2的栅极结合到扫描线Sn。第二晶体管M2根据 通过扫描线Sn传输的扫描信号执行开关操作,以允许流过数据线Dm的数据 信号被选择性地传输到第一节点N1。
第三晶体管M3的源极结合到第一晶体管的漏极,第三晶体管M3的漏 极结合到有机发光二极管,第三晶体管M3的栅极结合到发光线En。第三晶 体管M3根据通过发光线传输的发光控制信号来执行导通和截止操作,以允 许从第一晶体管的源极流动到其漏极的电流被传输到有机发光二极管 (OLED)。
电容器Cst的第一电极结合到第一电源线ELVDD,电容器Cst的第二电 极结合到第一节点N1。当数据信号被传输到第一节点N1时,电容器Cst允 许保持传输的数据信号的电压,直到后面的数据信号被传输到第一节点N1。 因此,第一晶体管M1的栅极由于电容器Cst而具有数据信号的电压。
有机发光二极管(OLED)包括阳极电极、阴极电极和置于阳极电极和阴极 电极之间的发光层,其中,当电流流动时发光层发光。因此,如果由第一晶 体管M1使与数据信号对应的电流产生并流动,则所述电流从阳极电极流动 至阴极电极,使得有机发光二极管(OLED)发光。
在包括如上组成的电路的有机发光显示器中,每个晶体管的半导体层使 用多晶硅等。然而,在工艺中,多晶硅必然会产生偏差。因此,如果使用这 样的多晶硅来形成晶体管,则在每个晶体管的阈值电压和迁移率等方面产生 差异,从而导致流动到像素中的电流偏差。在这样的情况下,通常使用能够 补偿阈值电压的像素电路。然而,补偿阈值电压的像素电路的结构是复杂的, 从而增加了像素电路的面积,并且面板变为高分辨率(ppi)从而减小像素的间 距。
发明内容
因此,实施例涉及一种像素、一种有机发光显示器及其驱动方法,这基 本克服了由相关领域的限制和缺点所导致的一个或多个问题。
因此,实施例的一个特征在于提供一种像素、一种有机发光显示器和一 种驱动有机发光显示器的方法,其中,像素晶体管包括非易失性存储器元件。
上面和其它特征和优点中的至少一个可以通过提供一种像素来实现,所 述像素包括:有机发光二极管;第一晶体管,具有结合到第一电源的源极、 结合到第一节点的控制栅极和结合到第二节点的漏极,其中,第一晶体管包 括浮置栅极以及浮置栅极和控制栅极之间的绝缘层;第二晶体管,具有结合 到数据线的源极、结合到第一节点的漏极和结合到扫描线的栅极;第三晶体 管,具有结合到第二节点的源极、结合到有机发光二极管的漏极和结合到发 光控制线和扫描线之一的栅极;电容器,结合在第一电源和第二节点之间。
第三晶体管的栅极可以结合到发光控制线。第一晶体管、第二晶体管和 第三晶体管可以为PMOS晶体管。第一晶体管可以为NMOS晶体管,第二晶 体管和第三晶体管可以为PMOS晶体管。第三晶体管的栅极可以结合到扫描 线,当第二晶体管处于截止状态时,第三晶体管可以处于导通状态。第一晶 体管和第二晶体管可以为PMOS晶体管,第三晶体管可以为NMOS晶体管。
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