[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包含以下工序：

在支承基板的上层形成树脂膜(a)的工序；

在树脂膜(a)的上层形成半导体元件的工序；

从形成了半导体元件的树脂膜(a)剥离支承基板的工序，

其中，树脂膜(a)的膜厚为1μm以上30μm以下，波长400nm以上800nm以下的可见光的透过率为80％以上，重量减少3％的温度为300℃以上，熔点为280℃以上。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，树脂膜(a)含有聚苯并噁唑。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，树脂膜(a)含有具有脂环式结构的聚酰胺酰亚胺。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，树脂膜(a)含有具有脂环式结构的聚酰亚胺。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，树脂膜(a)含有聚酰胺。

6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，聚酰胺具有脂环式结构。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，树脂膜(a)含有聚对苯二亚甲基。

8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，还包含在支承基板和树脂膜(a)之间形成树脂层(b)的工序。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，树脂层(b)的热膨胀系数小于树脂膜(a)的热膨胀系数。

10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中，树脂层(b)含有聚酰亚胺。

11.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，还包含在树脂膜(a)和半导体元件之间形成无机膜的工序。

12.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，无机膜含有选自氧化硅、氧氮化硅、氮化硅及氧化铝中的至少1种。

13.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在支承基板的上层形成树脂膜(a)的工序包含加热处理，加热处理温度为250℃以上，且在形成半导体元件的加工温度以上。

14.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中，加热处理是在氮气中或真空中进行的加热处理。

15.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，支承基板为玻璃基板或石英基板。

16.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，从形成了半导体元件的树脂膜(a)剥离支承基板的工序包含进行紫外线照射，紫外线的波长为300nm以上400nm以下。

17.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在从形成了半导体元件的树脂膜(a)剥离支承基板的工序之前，还包含在半导体元件的表面形成保护层的工序。

18.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，还包含在从形成了半导体元件的树脂膜(a)剥离支承基板的工序之后在树脂基板(c)上贴合形成了半导体元件的树脂膜(a)的工序。

19.一种显示用半导体装置，具有第1基板、第2基板、夹持在第1基板和第2基板之间的液晶，

第1基板具有树脂基板(c)、设置在树脂基板(c)上的粘合层、设置在粘合层上的树脂膜(a)，

显示用半导体装置还具有：在树脂膜(a)上形成的有源元件、在有源元件的上层形成的第1绝缘膜、在第1绝缘膜的上层设置的第1电极、在第1电极的上层设置的第2绝缘膜、在第2绝缘膜的上层设置的第2电极，

第1绝缘膜具有第1接触孔，

第2绝缘膜形成在第1电极和第2电极之间、以及第1接触孔内，

第1接触孔内的第2绝缘膜上形成第2接触孔，

第2电极为像素电极，

第2电极通过第2接触孔与有源元件电连接，

由第1电极、第2电极和第2绝缘膜形成保持电容，

树脂膜(a)的膜厚为1μm以上30μm以下，波长400nm以上800nm以下的可见光的透过率为80％以上，重量减少3％的温度为300℃以上。