[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有以液晶装置为代表的图像显示装置的半导体装置的制造方法。更详细而言，本发明涉及一种在挠性树脂基板上形成以薄膜晶体管(TFT)为代表的有源元件等的方法。

背景技术

目前为止，人们一直在研究为了实现以液晶显示元件为代表的平板显示器的轻量化而将基板变薄的技术，现有液晶显示装置使用厚度为0.5mm～1.1mm左右的玻璃基板进行制造。但是，在使用比其更薄的玻璃基板时，具有在制造工序中易于断裂、使用时也易于断裂等问题。作为解决此问题的方法之一，人们正在开发一种使用树脂基板代替玻璃基板的液晶显示元件。

但是，相对于玻璃基板的耐热性为600℃左右，树脂基板通常在200℃左右，具有耐热性低的缺陷。对于形成薄膜晶体管的温度，为非晶硅(a-Si)TFT时，为300℃左右，为低温多晶硅(LTPS)TFT时，为500℃左右，上述温度大大超过树脂基板的耐热性。因此，作为其方法之一，对降低TFT形成温度的方法进行探讨。

另外，树脂基板与玻璃基板不同，柔软且具有挠性，因此存在不能直接使用制作现有的玻璃基板的生产线的缺点。作为其对策，一般认为可采用将生产线由对应玻璃基板的生产线变成卷带式(Roll-to-Roll)的方法。作为直接使用现有生产线的方式，正在对将在玻璃基板形成的TFT转印到树脂基板上的方式进行探讨。作为在玻璃基板上形成TFT后转印的方式，有将玻璃基板蚀刻变薄的方式；或在玻璃基板上预先形成剥离层，TFT形成后进行剥离的方法。上述方式均为将形成了TFT的玻璃部分薄膜化，使其装载在塑料基板上的方式。另外，作为其他转印方式，有将树脂基板贴附在玻璃基板上，在树脂基板上形成TFT后剥离玻璃基板的方法。

在玻璃基板上暂时形成TFT，然后将玻璃变薄的方式，具有可以使用现有生产线、操作温度也可以直接采用现行方式的优点，但具有下述缺陷：在将玻璃基板变薄的工序中采用蚀刻工序时玻璃基板大部分浪费，结果导致成本增加。另外将树脂基板贴附在玻璃基板上，在树脂基板上形成TFT后进行剥离的方法中，在树脂基板的耐热性方面存在问题，因此存在必须降低操作温度，不能得到特性优异的器件(device)的缺陷。

【专利文献1】专利第2737330号公报

【专利文献2】特开2000-243943号公报

【专利文献3】特开2000-284243号公报

【专利文献4】特开2000-284303号公报

【专利文献5】特开2001-125082号公报

【专利文献6】特开2001-290138号公报

【专利文献7】特开2002-33464号公报

【专利文献8】特开2002-31818号公报

【专利文献9】特开2002-258252号公报

【专利文献10】特开2006-237542号公报

【专利文献11】特开2002-100790号公报(对应美国专利公开2002/0037605号公报)

【专利文献12】特开2001-290138号公报

发明内容

本发明的目的在于提供一种采用转印方式在树脂基板上形成TFT的方法，所述方法可以使用现有生产线，不需降低操作温度，同时可以抑制成本。

本发明人等发现，通过采用在支承基板的上层形成具有耐热性的透明树脂膜，在该树脂膜的上层形成半导体元件，然后剥离支承基板的工序，可以解决上述课题，从而完成了本发明。

即，本发明包含以下发明。

(1)一种半导体装置的制造方法，包含以下工序：

在支承基板的上层形成树脂膜(a)的工序；

在树脂膜(a)的上层形成半导体元件的工序；

从形成了半导体元件的树脂膜(a)剥离支承基板的工序，

其中，树脂膜(a)的膜厚为1μm以上30μm以下，波长400nm以上800nm以下的可见光的透过率为80％以上，重量减少3％的温度为300℃以上，熔点为280℃以上。

(2)如(1)所述的半导体装置的制造方法，其中，树脂膜(a)含有聚苯并噁唑。

(3)如(1)所述的半导体装置的制造方法，其中，树脂膜(a)含有具有脂环式结构的聚酰胺酰亚胺。

(4)如(1)所述的半导体装置的制造方法，其中，树脂膜(a)含有具有脂环式结构的聚酰亚胺。

(5)如(1)所述的半导体装置的制造方法，其中，树脂膜(a)含有聚酰胺。

(6)如(5)所述的半导体装置的制造方法，其中，聚酰胺具有脂环式结构。