[发明专利]修正凸块光掩膜图案的方法

权利要求书

1.一种修正凸块光掩膜图案的方法，包含：

提供一晶片，具有一主动面及一背面；

形成一光致抗蚀剂层在该晶片的该主动面上；

提供一具有第一图案的第一光掩膜层，其中该第一光掩膜层的该第一图案是用 以限定出在该光致抗蚀剂层上的第一区域，该第一区域对应于晶片的该主动面上的 一有效区域；

执行一第一曝光工序，使得该第一图案转移到该光致抗蚀剂层上；

以一具有第二图案的第二光掩膜层取代具有该第一图案的第一光掩膜层，并执 行一第二曝光工序，使得该第二图案转移到该光致抗蚀剂层上，其中该第二光掩膜 层的该第二图案是用以限定出在该光致抗蚀剂层上的第二区域，该第二区域对应晶 片的该主动面上的全部区域，且该第二曝光工序的剂量大于该第一曝光工序的剂 量；

执行一显影及蚀刻步骤，以移除该第二图案与该第一图案的重迭部份，并曝露 出在该晶片上的该有效区域以及移除在该全部区域的一无效区域上的部份该光致 抗蚀剂层；及

其中第一区域与第二区域的重迭区域经过两次曝光，该无效区域在其对应的光 致抗蚀剂层上只进行一次曝光。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于该光致抗蚀剂层为正光致抗蚀剂。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于执行该第一曝光工序是利用光掩膜 对准曝光机。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于执行该第二曝光工序是利用步进机。

5.一种利用修正凸块光掩膜图案以形成凸块的方法，包含：

提供一晶片，具有一主动面及一背面，且于该主动面上具有多个焊垫；

形成一光致抗蚀剂层在该晶片上以覆盖该主动面；

提供一具有第一图案的第一光掩膜层，其中该第一光掩膜层的该第一图案是用 以限定出在该光致抗蚀剂层上的第一区域，该第一区域对应于晶片的该主动面上的 一有效区域；

执行一第一曝光工序，使得该第一图案转移到该光致抗蚀剂层上；

以一具有第二图案的第二光掩膜层取代具有该第一图案的第一光掩膜层，并执 行一第二曝光工序，使得该第二图案转移到该光致抗蚀剂层上，其中该第二光掩膜 层的该第二图案是用以限定出在该光致抗蚀剂层上的第二区域，该第二区域对应晶 片的该主动面上的全部区域，且部份该第二图案与部份该第一图案重迭，且该第二 曝光工序的能量大于该第一曝光工序的能量；

执行一显影及蚀刻步骤，以移除在该光致抗蚀剂层上该第二图案与该第一图案 的重迭部份，并曝露出在该晶片上相对于该有效区域的这些焊垫以及移除在该全部 区域的一无效区域上的部份该光致抗蚀剂层；

形成多个凸块在相对于该晶片上的已曝露的这些焊垫上；

移除该光致抗蚀剂层；及

其中第一区域与第二区域的重迭区域经过两次曝光，该无效区域在其对应的光 致抗蚀剂层上只进行一次曝光。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于该光致抗蚀剂层为正光致抗蚀剂。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于执行该第一曝光工序是利用光掩膜 对准曝光机。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于执行该第二曝光工序是利用步进机。