[发明专利]修正凸块光掩膜图案的方法

说明书

技术领域

本发明有关一种形成凸块的方法，特别是有关一种利用两次光掩膜工序以避免 在晶片的无效芯片区域上形成凸块的方法。

背景技术

在半导体微影工序中，对准曝光机(Mask aligner)可以进行整个晶片的对准及曝 光。因为是全片幅，只要再制作光掩膜时，所有无效芯片遮蔽即可。但是，对准曝 光机的性能例如光致抗蚀剂轮廓、对准误差及高缺陷率是其缺点。然而，步进式对 准曝光机(stepper aligner)在制作光掩膜时，无法设计到将所有无效芯片遮蔽，所以 在进行后续的电镀金凸块的工序中，部份金凸块会形成在无效芯片上，在工艺过程 中都会将这些形成在无效芯片上的金凸块移除，导致于浪费工艺成本。

发明内容

鉴于以上的问题，本发明的主要目的在于提供一种修正凸块光掩膜图案的方 法，借以利用两次光掩膜的方式，可以限定出晶片的有效区域，使得凸块可以形成 在晶片的有效区域。

根据上述的目的，本发明揭露一种修正凸块光掩膜图案的方法，包含：提供一 晶片，其一主动面上具有多个焊垫；形成一光致抗蚀剂层在晶片的主动面上；提供 具有第一图案的第一光掩膜层，在此，第一光掩膜层的第一图案是用以限定出晶片 上的有效区域，且有效区域是对应于晶片的全部区域；执行一第一曝光工序，使得 第一图案转移到光致抗蚀剂层上；以具有第二图案的第二光掩膜层取代具有第一图 案的第一光掩膜层，并执行第二曝光工序，使得第二图案转移至光致抗蚀剂层上， 在此，第二光掩膜层的第二图案是用以限定晶片的部份区域，且部份第二图案与部 份第一图案重迭；及执行一显影及蚀刻步骤，以移除第二图案与第一图案的重迭部 份，并曝露出在晶片上的有效区域上的多个焊垫以及移除在全部区域的一无效区域 上的部份光致抗蚀剂层。

本发明还揭露一种利用修正凸块光掩膜图案以形成凸块的方法，包含：提供一 晶片，其一主动面上具有多个焊垫；形成一光致抗蚀剂层在晶片上以覆盖主动面； 提供具有第一图案的第一光掩膜层，在此第一光掩膜层的第一图案是用以限定出晶 片上的一有效区域，且有效区域是对应于晶片的全部区域；执行一第一曝光工序， 使得第一图案转移到光致抗蚀剂层上；以具有第二图案的第二光掩膜层取代具有第 一图案的第一光掩膜层，并执行第二曝光工序，使得第二图案转移到光致抗蚀剂层 上，在此，第二光掩膜层的第二图案是用以限定晶片的全部区域，且部份第二图案 与部份第一图案重迭；执行一显影及蚀刻步骤，以移除第二图案与第一图案的重迭 部份，并曝露出晶片上的有效区域上的多个焊垫以及移除在全部区域的一无效区域 上的部份光致抗蚀剂层；形成多个凸块在相对于晶片上的已曝露的多个焊垫上；及 移除该光致抗蚀剂层。

附图说明

以下将配合附图对本发明的较佳实施例进行详细的描述，以便能对对本发明的 目的、构造、特征、及其功能有进一步的了解，其中：

图1是根据本发明所揭露的技术，表示在晶片上形成光致抗蚀剂层的示意图；

图2是根据本发明所揭露的技术，表示在具有光致抗蚀剂层的晶片上方，形成 具有第一图案的第一光掩膜层，且执行第一曝光工序的示意图；

图3是根据本发明所揭露的技术，表示第一光掩膜层的第一图案转移到光致抗 蚀剂层的示意图；

图4是根据本发明所揭露的技术，表示在已曝光的光致抗蚀剂层的晶片上，形 成具有第二图案的第二光掩膜层，且执行第二曝光工序的示意图；

图5是根据本发明所揭露的技术，表示第二光掩膜层的第二图案转移到已曝光 的光致抗蚀剂层的示意图；

图6是根据本发明所揭露的技术，曝露出在晶片的主动面上的有效区域的示意 图；

图7是根据本发明所揭露的技术，表示在曝露的晶片的主动面上形成多个金凸 块的示意图；及

图8是根据本发明所揭露的技术，表示在晶片上形成多个金凸块的示意图。

具体实施方式