[发明专利]AlxGayIn1－x－yN衬底及其清洗方法,AIN衬底及其清洗方法有效
| 申请号： | 200810130622.0 | 申请日： | 2005-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN101312164A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 上村智喜;石桥惠二;藤原伸介;中幡英章 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/306;C30B33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | al sub ga in 衬底 及其 清洗 方法 ain | ||
1.一种AlxGayIn1-x-yN衬底(51)，其中
在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的所述AlxGayIn1-x-yN衬底(51)表面的光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3。
2.一种AlxGayIn1-x-yN衬底(45)的清洗方法，其中
将所述AlxGayIn1-x-yN衬底(45)浸泡在酸溶液(25)中，从而在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlxGayIn1-x-yN衬底(45)表面光电子能谱中，使C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3。
3.权利要求2的AlxGayIn1-x-yN衬底(45)的清洗方法，其中
所述酸溶液(25)是由选自氢氟酸、盐酸和硫酸中的至少一种酸制成的，或者是由选自氢氟酸、盐酸和硫酸中的至少一种酸和过氧化氢溶液的混合物制成的。
4.权利要求3的AlxGayIn1-x-yN衬底(45)的清洗方法，其中
当所述酸溶液(25)是由选自氢氟酸、盐酸和硫酸中的至少一种酸制成的时，所述酸溶液(25)中氢氟酸、盐酸和硫酸的总浓度至少为0.5重量百分比，且
当所述酸溶液(25)是由选自氢氟酸、盐酸和硫酸中的至少一种酸和过氧化氢溶液的混合物制成的时，酸溶液(25)中氢氟酸、盐酸和硫酸的总浓度至少为0.1重量百分比，同时过氧化氢溶液的浓度至少为0.1重量百分比。
5.权利要求2的AlxGayIn1-x-yN衬底(45)的清洗方法，其中
所述AlxGayIn1-x-yN衬底(45)的浸泡时间至少为30秒。
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