[发明专利]AlxGayIn1－x－yN衬底及其清洗方法,AIN衬底及其清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种Al_xGa_yIn_1-x-yN(0＜x≤1，0＜y≤1，x+y≤1)衬底和该Al_xGa_yIn_1-x-yN(0＜x≤1，0＜y≤1，x+y≤1)衬底的清洗方法。本发明还涉及一种能够稳定地生长低浊度水平(haze level)的外延膜的AlN衬底，以及该AlN衬底的清洗方法。本说明书中，Al_xGa_yIn_1-x-yN(0＜x≤1，0＜y≤1，x+y≤1)简写为Al_xGa_yIn_1-x-yN。

背景技术

Al_xGa_yIn_1-x-yN衬底可以合适地用作各种半导体器件的衬底，例如光学器件和/或电子器件的衬底。

一种Al_xGa_yIn_1-x-yN晶体的代表性生长方法是HVPE(氢化物汽相取向生长)法，而从Al_xGa_yIn_1-x-yN晶体可以制造Al_xGa_yIn_1-x-yN衬底。通过在Al_xGa_yIn_1-x-yN衬底表面上生长各种外延膜，可以获得半导体器件，例如光学器件和/或电子器件。

Al_xGa_yIn_1-x-yN衬底中，AlN衬底的能带隙为6.2eV，热导率约为3.3WK^-1cm^-1，并且具有高电阻，因此将其用作各种半导体器件的衬底，例如光学器件和/或电子器件的衬底引起了人们的注意。

可以用通过HVPE方法或者升华方法生长出来的AlN晶体来制造AlN衬底。通过在AlN衬底表面上生长各种外延膜，可以获得半导体器件，例如光学器件和/或电子器件。

例如，Toshio Nishida等人在Appl.Phys.Lett.，2003年，82卷，第1期的“GaN-free transparent ultraviolet light-emitting diodes”中公开了一种通过在AlN衬底上生长AlGaN膜等而获得的发光二极管。另外，Toshio Nishida等人的“The Characteristics of UV-LED Grown on Bulk AlN Substrate UnderLarge Current Injection”，the Japan Society of Applied Physics and RelatedSocieties第51届春季会议，扩展摘要，2004年3月，409页，还公开了一种在大块(bulk)AlN衬底上形成的发光二极管。

发明内容

发明概述

当在Al_xGa_yIn_1-x-yN衬底表面上生长外延膜时，有时生长出的是有大量缺陷和/或失泽(tarnishes)的低质量外延膜。使用这种低质量外延膜的半导体器件的器件特性差，所以，需要稳定地生长出很少有缺陷和/或失泽的高质量外延膜。

因此，为了稳定地生长很少有缺陷和/或失泽的高质量外延膜，附着在Al_xGa_yIn_1-x-yN衬底表面上的粒子和/或有机物已经通过清洗被除去。但是，由于没有涉及Al_xGa_yIn_1-x-yN衬底表面上粒子和/或有机物清除程度的常规技术参考资料，而且其标准也不清楚，存在Al_xGa_yIn_1-x-yN衬底表面条件的变化直接导致外延膜的质量变化的问题。

另外，当在AlN衬底表面上生长外延膜时，有时生长出高浊度水平的外延膜。使用这种外延膜的半导体器件的器件特性差，所以，需要稳定地生长出低浊度水平的外延膜。