[发明专利]高反射率发光二极管芯片反射灯罩的制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片反射灯罩的制造方法，所述的方法至少包含下列步骤：

提供一基板，基板上有一反射灯罩，所述的反射灯罩内基板表面上具有至少一金属接触对；

提供一具导磁特性的遮蔽物体；

将所述的导磁遮蔽物体置入所述的反射灯罩内的所述的基板上以遮盖所述的金属接触对；

置另一磁铁或电磁铁于所述的基板下方，用以固定所述的遮蔽物；

进行真空镀膜步骤以形成一金属膜于所述的反射灯罩上；及

移除所述的遮蔽物。

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片反射灯罩的制造方法，所述的方法更包含在形成所述的金属膜之前、固定所述的遮蔽物之后先形成一层底漆在所述的反射灯罩上，用以使所述的基板和所述的反射灯罩表面平滑。

3.如权利要求1所述的发光二极管芯片反射灯罩的制造方法，所述的方法更包含在金属膜形成后移除所述的遮蔽物步骤之前，将包含所述的反射灯罩的基板及固定所述的遮蔽物的磁铁或电磁铁移到真空室外，再形成一漆体层于所述的反射灯罩上的金属膜上以防止所述的金属膜氧化。

4.如权利要求3所述的发光二极管芯片反射灯罩的制造方法，其中上述的漆体层为一透明层。

5.如权利要求1所述的发光二极管芯片反射灯罩的制造方法，所述的方法更包含在金属膜形成后移除所述的遮蔽物步骤之前形成一透明氧化层于所述的反射灯罩上的金属膜上以防止所述的金属膜氧化。

6.如权利要求5所述的发光二极管芯片反射灯罩的制造方法，其中上述的透明氧化层是选自氧化硅层、氮化硅层、氧化锌层、氧化铟锡层其中的任一种。

7.如权利要求1所述的发光二极管芯片反射灯罩的制造方法，其中所述的遮蔽物和所述的反射灯罩之间保有一间隙，所述的间隙随所述的遮蔽物高度而调整，以降低遮蔽物高度的阴影效果。

8.如权利要求1所述的发光二极管芯片反射灯罩的制造方法，所述的方法更包含调整所述的遮蔽物倾斜度和高低以达到镀层渐层效果或产生柔和光线效果或产生装饰所述的反射灯罩的周围特定区图案的效果。

9.如权利要求1所述的发光二极管芯片反射灯罩的制造方法，其中真空电镀材料选自具反射能力的银、铝、铬、镍其中之一或其任意组合。

10.如权利要求1所述的发光二极管芯片反射灯罩的制造方法，所述的方法更包含分次镀多层膜于所述的反射灯罩上。