[发明专利]整合IC焊垫的内建式桥式整流器

权利要求书

1.一种内建式桥式整流器，适用于一集成电路内，用以接收一交流输入信号，以产生一直流输出信号，其特征在于，所述内建式桥式整流器包含：

一第一PMOS晶体管，栅极与源极间短路；

一第一NMOS晶体管，栅极与源极间短路，所述第一NMOS晶体管的漏极与所述第一PMOS晶体管的漏极于所述集成电路的一第一焊垫相连接；

一第二PMOS晶体管，栅极与源极间短路，所述第一PMOS晶体管的源极与所述第二PMOS晶体管的源极于一第一输出节点相连接；以及

一第二NMOS晶体管，栅极与源极间短路，所述第二NMOS晶体管的漏极与所述第二PMOS晶体管的漏极于所述集成电路的一第二焊垫相连接，而且，所述第一NMOS晶体管的源极与所述第二NMOS晶体管的源极于一第二输出节点相连接；

其中，所述交流输入信号被施加在所述第一焊垫与所述第二焊垫之间，及所述第一输出节点与所述第二输出节点间产生所述直流输出信号，且所述第一输出节点的电压大于所述第二输出节点的电压。

2.如权利要求1所述的内建式桥式整流器，其特征在于，当所述第一焊垫为一输入焊垫时，与所述第一焊垫连接的一输入缓冲器被禁能。

3.如权利要求1所述的内建式桥式整流器，其特征在于，当所述第一焊垫为一输入焊垫时，与所述第一焊垫连接的一第一输入缓冲器的输出，用以解调所述交流输入信号。

4.如权利要求1所述的内建式桥式整流器，其特征在于，当所述第一焊垫为一输出焊垫时，与所述第一焊垫连接的一第一输出缓冲器被禁能。

5.如权利要求1所述的内建式桥式整流器，其特征在于，当所述第二焊垫为一输入焊垫时，与所述第二焊垫连接的一第二输入缓冲器被禁能。

6.权利要求1所述的内建式桥式整流器，其特征在于，当所述第二焊垫为一输入焊垫时，与所述第二焊垫连接的一第二输入缓冲器的输出，用以解调所述交流输入信号。

7.如权利要求1所述的内建式桥式整流器，其特征在于，当所述第二焊垫为一输出焊垫时，与所述第二焊垫连接的一第二输出缓冲器被禁能。

8.如权利要求1所述的内建式桥式整流器，其特征在于，所述第一焊垫的电压或所述第二焊垫的电压大于所述第一输出节点的电压。

9.如权利要求1所述的内建式桥式整流器，其特征在于，所述第一输出节点不接任何电源。

10.如权利要求1所述的内建式桥式整流器，其特征在于，所述第一焊垫的电压与所述第二焊垫的电压互为反向。

11.如权利要求1所述的内建式桥式整流器，其特征在于，所述内建式桥式整流器还包含：

一第三PMOS晶体管，源极连接至所述第一输出节点，漏极连接至所述第一焊垫，栅极连接至所述第二焊垫；

一第三NMOS晶体管，源极连接至所述第二输出节点，漏极连接至所述第一焊垫，栅极连接至所述第二焊垫；

一第四PMOS晶体管，源极连接至所述第一输出节点，漏极连接至所述第二焊垫，栅极连接至所述第一焊垫；以及

一第四NMOS晶体管，源极连接至所述第二输出节点，漏极连接至所述第二焊垫，栅极连接至所述第一焊垫。

12.如权利要求11所述的内建式桥式整流器，其特征在于，当所述第一焊垫为一输入/输出焊垫时，与所述第一焊垫连接的一第一输入缓冲器的输出，用以解调所述交流输入信号。

13.如权利要求11所述的内建式桥式整流器，其特征在于，当所述第二焊垫为一输入/输出焊垫时，与所述第二焊垫连接的一第二输入缓冲器的输出，用以解调所述交流输入信号。

14.如权利要求11所述的内建式桥式整流器，其特征在于，当所述第一焊垫为一输入/输出焊垫时，与所述第一焊垫连接的一第一输入缓冲器被禁能。

15.如权利要求11所述的内建式桥式整流器，其特征在于，当所述第二焊垫为一输入/输出焊垫时，与所述第二焊垫连接的一第二输入缓冲器被禁能。

16.如权利要求1所述的内建式桥式整流器，其特征在于，所述第一焊垫更连接至一第一电位移转器的输入端，而所述第一电位移转器的输出是用以解调所述交流输入信号。

17.如权利要求1所述的内建式桥式整流器，其特征在于，所述第二焊垫更连接至一第二电位移转器的输入端，而所述第二电位移转器的输出是用以解调所述交流输入信号。