[发明专利]整合IC焊垫的内建式桥式整流器

说明书

技术领域

本发明有关于半导体装置，特别是有关于一种内建于一集成电路(integrated circuit，IC)中的桥式整流器(bridge rectifier)，整合IC内部焊垫(pad)及外部桥式整流器。

背景技术

一般而言，整流器除了可以拿来检测无线电信号之外，还大量的使用在交流(alternating current，AC)至直流(direct current，DC)电信号的转换，特别是AC电源到DC电源的转换。

图1是一个设于IC外部的现有桥式整流器的架构示意图。参考图1，一般桥式整流器100设置于IC 120的外部，利用4个二极管D1、D2、D3、D4，连接成一电桥的形式以提供全波整流(full-wave rectification)。桥式整流器100的特色是：无论施加于桥式整流器100输入端的电压(V_in1相对于V_in2)极性是正或负，输出端的电压(VPX相对于GND)极性永远不变。例如：V_in1相对于V_in2的电压极性为正时，二极管D1、D3导通，电流方向如路径La；V_in1相对于V_in2的电压极性为负时，二极管D2、D4导通，电流方向如路径Lb。从上述二个整流路径La、Lb可以观察到，电流通过负载电路110的方向是不变的。

为了降低外部桥式整流器的硬件成本，因此提出本发明。

发明内容

有鉴于上述问题，本发明的目的之一是提供一种内建式桥式整流器，是重新组态集成电路内部原本既有的静电放电防护电路而得，不但节省外部桥式整流器的硬件成本，更缩小印刷电路板的空间，且不须在IC内额外再作电路。

为达成上述目的，本发明内建式桥式整流器适用于一集成电路内，用以接收一交流输入信号，以产生一直流输出信号，该桥式整流器包含：一第一PMOS晶体管，栅极与源极间短路；一第一NMOS晶体管，栅极与源极间短路，该第一NMOS晶体管的漏极与该第一PMOS晶体管的漏极于该集成电路的一第一焊垫相连接；一第二PMOS晶体管，栅极与源极间短路，该第一PMOS晶体管的源极与该第二PMOS晶体管的源极于一第一输出节点相连接；以及，一第二NMOS晶体管，栅极与源极间短路，该第二NMOS晶体管的漏极与该第二PMOS晶体管的漏极于该集成电路的一第二焊垫相连接，而且，该第一NMOS晶体管的源极与该第二NMOS晶体管的源极于一第二输出节点相连接；其中，该交流输入信号被施加在该第一焊垫与该第二焊垫之间，及该第一输出节点与该第二输出节点间产生该直流输出信号，且该第一输出节点的电压大于该第二输出节点的电压。

兹配合下列图示、实施例的详细说明及申请专利范围，将上述及本发明的其它目的与优点详述于后。

附图说明

图1是一个设于IC外部的现有桥式整流器的架构示意图。

图2显示一个位于IC内部且设于焊垫IO旁的现有静电放电防护电路。

图3显示本发明内建式桥式整流器第一实施例的架构示意图。

图4显示位于IC内部且设置于现有输出焊垫OUT旁的静电放电防护电路及输出缓冲电路的示意图。

图5显示本发明内建式桥式整流器第二实施例的架构示意图。

图6显示本发明内建式桥式整流器第三实施例的架构示意图。

图7显示本发明内建式桥式整流器第四实施例的架构示意图。

主要元件符号说明：

100桥式整流器

110、510负载电路

300、500、600、700内建式桥式整流器

410ESD防护电路

420输出缓冲电路

601、602、701反相器

D1、D2、D3、D4二极管

P₁、P₁₂、P₂₂、P₁₁、P₂₂PMOS晶体管

N₁、N₁₂、N₂₂、N₂₁、N₁₁NMOS晶体管

in1、in2、IN3、IN4、IO、IO1焊垫

IO2、IO4、OUT、OUT1、OUT2焊垫

具体实施方式