[发明专利]用于电磁干扰屏蔽及静电放电防护的集成式无源元件无效
申请号: | 200810130777.4 | 申请日: | 2008-07-21 |
公开(公告)号: | CN101635297A | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
发明(设计)人: | 陈葆萱;余锦汉 | 申请(专利权)人: | 聚鼎科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L27/02;H01L23/552;H01L23/60;H01L23/522 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 颜志祥 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电磁 干扰 屏蔽 静电 放电 防护 集成 无源 元件 | ||
1、一种集成式无源元件,其特征在于包含:
电磁干扰屏蔽结构,包含至少一个电容,其具有第一电极、第二电极及介于所述第一电极与所述第二电极之间的介电材料;
静电放电防护结构,层设于所述电磁干扰屏蔽结构,包含第一导体、第二导体及位于所述第一导体与所述第二导体之间的可变电阻;
第一导电区块,其电连接所述第一电极及所述第一导体;以及
第二导电区块,其电连接所述第二电极及所述第二导体。
2、如权利要求1所述的集成式无源元件,其特征在于所述电磁干扰屏蔽结构包含多个电容,并联于所述第一导电区块及所述第二导电区块。
3、如权利要求1所述的集成式无源元件,其特征在于所述第一电极及所述第二电极选自铝、银、钯、铂、金、镍、铜、钨、铬、铁、锌、钛、铌、钼、钌、铅及铱组成群组中的一者。
4、如权利要求1所述的集成式无源元件,其特征在于所述介电材料包含聚合物或陶瓷材料。
5、如权利要求1所述的集成式无源元件,其特征在于所述介电材料包含聚二氟乙烯(特富龙)、环氧树脂、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)、聚酯、聚四氟乙烯、聚吡咯、聚二氟乙烯、聚偏二氟乙烯或聚乙烯。
6、如权利要求1所述的集成式无源元件,其特征在于所述第一导体及所述第二导体选自铝、银、钯、铂、金、镍、铜、钨、铬、铁、锌、钛、铌、钼、钌、铅及铱组成的群组中的一者。
7、如权利要求1所述的集成式无源元件,其特征在于所述可变电阻包含无机材料。
8、如权利要求1所述的集成式无源元件,其特征在于所述可变电阻选自氧化锌、氧化铋、氧化钴、二氧化锰及氧化碲组成的无机材料群组中的一者。
9、如权利要求1所述的集成式无源元件,其特征在于更包含预浸材料,且所述电容置于所述预浸材料上。
10、如权利要求9所述的集成式无源元件,其特征在于所述预浸材料包含玻璃纤维。
11、如权利要求1所述的集成式无源元件,其特征在于所述静电放电防护结构包含:
核心衬底,所述第一导体置于所述核心衬底的一侧,所述第二导体置于所述核心衬底的另一侧,且间隙分隔所述第一导体及所述第二导体;以及
无机材料,其填充所述间隙以形成所述可变电阻。
12、如权利要求11所述的集成式无源元件,其特征在于所述核心衬底包含玻璃环氧树脂、FR4树脂、FR5树脂或双马来酰亚胺-三嗪树脂。
13、如权利要求1所述的集成式无源元件,其特征在于所述静电放电防护结构通过具有玻璃纤维的预浸材料层设于所述电磁干扰屏蔽结构。
14、如权利要求1所述的集成式无源元件,其特征在于所述静电放电防护结构通过黏着剂层设于所述电磁干扰屏蔽结构。
15、如权利要求1所述的集成式无源元件,其特征在于更包含绝缘材料,所述电容置于所述绝缘材料的表面。
16、如权利要求15所述的集成式无源元件,其特征在于更包含第一接垫及第二接垫,置于所述绝缘材料的另一表面。
17、如权利要求16所述的集成式无源元件,其特征在于所述第一导电区块通过所述第一接垫与所述第一电极及所述第一导体电连接,且所述第二导电区块通过所述第二接垫与所述第二电极及所述第二导体电连接。
18、如权利要求16所述的集成式无源元件,其特征在于所述第一接垫及所述第二接垫选自铝、银、钯、铂、金、镍、铜、钨、铬、铁、锌、钛、铌、钼、钌、铅及铱组成的群组中的一者。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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