[发明专利]用于电磁干扰屏蔽及静电放电防护的集成式无源元件

说明书

技术领域

本发明涉及一种兼具电磁干扰屏蔽功能及静电放电防护功能的集成式无源元件，明确地说涉及一种兼具屏蔽电磁干扰功能的电容结构及静电放电防护功能的过电流保护结构的集成式无源元件。

背景技术

电子用品的操作常伴随着电磁辐射。例如电视、收音机、计算机、医疗仪器、商用设备、通讯装置等都会在操作时从电路本身放出电磁辐射。此种辐射会改变电路附近的磁场，或使电路附近的电磁频谱发生短暂的变化，其影响程度可从10KHz到10GHz不等。此种电磁辐射又称电磁干扰(electromagnetic interference，EMI)，且电磁干扰已成为一种目前众所周知的干扰源。

电磁干扰屏蔽(shielding)可用来减缓电磁干扰。由于电磁干扰屏蔽可吸收及/或反射电磁能量，因此可用来控制局部电路产生的辐射，也可用来隔绝其它电路所产生的电磁干扰。一般来说，电磁干扰屏蔽大多设置于局部电路与其它电路之间，其由导电材料组成且包围局部电路并耦合到接地电位。

此外，集成电路是根据外接电压及输入信号而对应地产生输出信号，更甚至某些输入管脚直接连接到晶体管的栅极，因此集成电路的输入管脚多半对电压变化相当敏感。当人为操作或是在自动化制造、生产、组装、测试、存放或搬运途中对集成电路发生静电放电时，其内部的电子组件可能会遭到不可预期的破坏。举例来说，人体会积累静电电荷，并在碰触到集成电路时产生回路，使静电电荷流经集成电路。自动化组装仪器或是测试设备也会积累静电电荷并在接触到集成电路时对其静电放电。尤其对于集成电路内的绕线尺寸越小的电路，越是不能忽略静电放电的影响。已知的静电放电防护方式是利用电阻引开静电放电产生的大电流，进而限制流入内部主要组件的输入电流大小。

发明内容

根据所述目的，本发明提出一种集成式无源元件，其兼具屏蔽电磁干扰的电容结构及静电放电防护的过电流保护结构。

本发明的集成式无源元件的实施例包含具有至少一个电容的电磁干扰屏蔽结构、层设于所述电磁干扰屏蔽结构上的静电放电防护结构、第一导电区块及第二导电区块。所述电容具有两电极及介于所述两电极之间的介电材料。所述静电放电结构包含第一导体、第二导体及位于所述第一导体与所述第二导体之间的可变电阻。所述第一导电区块电连接所述电容的电极及所述静电放电防护结构的导体，且所述第二导电区块电连接所述电容的另一电极及所述静电放电防护结构的另一导体。

附图说明

图1到图4例示本发明的实施例的集成式无源元件的制备流程；以及

图5到图8例示本发明另一实施例的集成式无源元件的制备流程。

具体实施方式

图1到图4例示本发明的实施例的集成式无源元件10的制备流程。首先，制备静电放电防护结构20及电磁干扰屏蔽结构30，其中电磁干扰屏蔽结构30可包含电容40。静电放电防护结构20可以是过电流保护结构，并通过黏着剂52或具有玻璃纤维的预浸材料层设于电磁干扰屏蔽结构30上。

静电放电防护结构20包含核心衬底22、设置于核心衬底22的一侧的第一导体24以及设置于核心衬底22的另一侧的第二导体，且间隙28分隔第一导体24与第二导体26。第一导体24及第二导体26的组成可包含由铝、银、钯、铂、金、镍、铜、钨、铬、铁、锌、钛、铌、钼、钌、铅及铱所组成的群组中的至少一者。核心衬底22的组成可为玻璃环氧树脂(glass epoxy resin)、FR4树脂(FR4resin)、FR5树脂(FR5resin)或双马来酰亚胺-三嗪树脂(Bismaleimide-Triazine resin，BT resin)。

电磁干扰屏蔽结构30的电容40包括第一电极42、第二电极44及介于第一电极42与第二电极44之间的介电材料46。第一电极42及第二电极44的组成可包含由铝、银、钯、铂、金、镍、铜、钨、铬、铁、锌、钛、铌、钼、钌、铅及铱所组成的群组中的至少一者。介电材料46的组成可为聚合物，如聚二氟乙烯(polyvinyl difluoride，或称特富龙)、环氧树脂(epoxy)、聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)(poly(3，4-ethylenedioxythiophene))、聚酯(polyster，或称Mylar)、聚苯胺(polyaniline)、聚吡咯(polypyrrole)、聚偏二氟乙烯(polyvinylidene fluoride，PVDF)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)、或聚乙烯(polyethylene，PE)。此外，介电材料46的组成还可以是陶瓷材料。