[发明专利]非易失性半导体存储器件

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储器件，其特征在于，具有:

半导体衬底；

形成于上述半导体衬底上的第一电荷存储膜；

形成于上述第一电荷存储膜上的第一栅电极；

与上述第一栅电极相邻而形成的第二栅电极；以及

用于控制上述第一栅电极和上述第二栅电极的电位的控制电路，

在进行与存储于上述第一电荷存储膜上的电荷量对应的数据的擦除动作时，

上述控制电路进行工作，以向上述第一栅电极供给第一电位、向上述第二栅电极供给第二电位，

其后，上述控制电路进行工作，以使上述第一栅电极成为浮置状态，

其后，为使上述第一栅电极的电位从上述第一电位变为低于上述第一电位的负的第三电位，上述控制电路进行工作，以向上述第二栅电极供给低于上述第二电位的第四电位。

2.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于，

还具有在上述半导体衬底内成为包括上述第一栅电极的第一晶体管的源极、漏极的一对半导体区域，

上述第二栅电极隔着绝缘膜与上述第一栅电极的侧面相邻，且配置在上述一对半导体区域之间的上述半导体衬底上。

3.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于，还具有:

形成在上述半导体衬底上的第二电荷存储膜；

形成在上述第二电荷存储膜上的第三栅电极；以及

与上述第三栅电极相邻而形成的第四栅电极，

上述控制电路向上述第一栅电极供给上述第一电位的工作是如下这样进行的:上述控制电路进行工作，以向上述第三栅电极供给第五电位、向上述第四栅电极供给第六电位，其后，上述控制电路进行工作，以使上述第三栅电极成为浮置状态，其后，为使上述第三栅电极的电位变为低于上述第五电位的负的第七电位，上述控制电路进行工作，以向上述第四栅电极供给低于上述第六电位的第八电位，其后，通过上述控制电路的工作使上述第一栅电极和上述第三栅电极电连接。

4.根据权利要求2所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于，还具有:

形成在上述半导体衬底上的第二电荷存储膜；

形成在上述第二电荷存储膜上的第三栅电极；以及

与上述第三栅电极相邻而形成的第四栅电极，

上述控制电路向上述第一栅电极供给上述第一电位的工作是如下这样进行的:上述控制电路进行工作，以向上述第三栅电极供给第五电位、向上述第四栅电极供给第六电位，其后，上述控制电路进行工作，以使上述第三栅电极成为浮置状态，其后，为使上述第三栅电极的电位变为低于上述第五电位的负的第七电位，上述控制电路进行工作，以向上述第四栅电极供给低于上述第六电位的第八电位，其后，通过上述控制电路的工作使上述第一栅电极和上述第三栅电极电连接。

5.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于，

上述第一栅电极和上述第二栅电极存在于存储器单元阵列区域内，在上述存储器单元阵列区域之外不存在负电压发生电路。

6.根据权利要求3所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于，

从上述第一栅电极至上述第四栅电极存在于存储器单元阵列区域内，在上述存储器单元阵列区域之外不存在负电压发生电路。

7.根据权利要求2所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于，还具有:

形成在上述半导体衬底上的第三电荷存储膜；

形成在上述第三电荷存储膜上的第五栅电极；以及

与上述第五栅电极相邻而形成的第六栅电极，

在上述第一栅电极成为上述第三电位后，通过上述控制电路的工作使上述第一栅电极和上述第五栅电极电连接，从而使上述第五栅电极成为第九电位，

其后，上述控制电路进行工作，以使上述第五栅电极成为浮置状态，其后，为使上述第五栅电极的电位成为低于上述第九电位的负的第十电位，上述控制电路进行降低上述第六栅电极的电位的工作。