[发明专利]双极晶体管FINFET技术

权利要求书

1.一种双极晶体管，包括：

在沿衬底表面上支撑的鳍片结构的轴的一个位置处的发射极区；

在沿所述鳍片结构的轴末端的另一位置处的集电极区；

在所述发射极区与所述集电极区之间的基极区；以及

覆盖在所述衬底的表面上的接触线，所述接触线耦合到所述鳍片 结构的所述集电极区与所述发射极区之间的所述鳍片结构的所述基 极区，并在所述衬底的表面上提供横向双极晶体管基电极。

2.如权利要求1所述的双极晶体管，其中所述接触线是导电材 料。

3.如权利要求2所述的双极晶体管，其中所述导电材料是含金属 材料或者是一种金属。

4.如权利要求2所述的双极晶体管，其中所述导电材料是多晶 硅。

5.如权利要求1所述的双极晶体管，其中所述发射极区、所述集 电极区以及所述基极区由从硅、锗、碳化硅、砷化镓及磷化铟组成的 一组半导体材料中选择的一种或多种半导体材料制成。

6.如权利要求1所述的双极晶体管，其中所述发射极区包括重掺 杂区。

7.如权利要求1所述的双极晶体管，其中所述集电极区包括重掺 杂子区和在所述基极区与所述重掺杂子区之间的轻掺杂子区。

8.如权利要求1所述的双极晶体管，其中所述衬底是埋氧(BOX) 层。

9.如权利要求1所述的双极晶体管，其中在所述衬底、所述发射 极区、所述集电极区、所述基极区与所述接触线之间的空间填充有掺 杂硼磷的硅玻璃或SiO₂(二氧化硅)。

10.一种制造鳍式双极晶体管的方法，包括：

在衬底表面上形成植入物；

选择性蚀刻晶圆表面以形成包括部分所述植入物的拉长鳍片；

在所述鳍片上形成与所述鳍片的相对末端相邻的集电极区和发 射极区；以及

形成在所述集电极区和所述发射极区中间的基极区。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述植入物是集电极植入 物。

12.如权利要求10所述的方法，还包括：

在所述鳍片上形成抗蚀剂掩模；以及

通过利用在所述鳍片的轻掺杂集电极区上的所述抗蚀剂掩模阻 止集电极植入物的施加，将所述轻掺杂集电极区形成为所述集电极区 的一部分。

13.如权利要求10所述的方法，还包括：

在所述鳍片上形成牺牲栅极层叠；以及

通过倾斜集电极植入物的施加以将所述鳍片的轻掺杂集电极区 遮蔽在所述牺牲栅极层叠之后，将所述轻掺杂集电极区形成为所述集 电极区的一部分。

14.一种在相同衬底上制造鳍式双极晶体管和鳍式CMOS晶体 管的方法，包括：

在晶圆表面上形成至少一个集电极植入物；

选择性地蚀刻所述晶圆表面以形成具有集电极区的至少一个拉 长双极鳍片和具有源极/漏极区的至少一个拉长CMOS鳍片，所述集 电极区包括部分所述集电极植入物；

在所述至少一个双极鳍片上形成与其集电极区相邻的基极并与 所述至少一个双极鳍片接触，并且在至少一个CMOS鳍片上形成栅极 并与所述至少一个CMOS鳍片绝缘；以及

形成与所述双极鳍片的至少之一的末端相邻的发射极/集电极接 触植入物区，并形成与所述CMOS鳍片至少之一的末端相邻的源极/ 漏极接触区。

15.如权利要求14所述的方法，还包括：

在所述鳍片上形成牺牲栅极层叠；以及

通过倾斜集电极植入物的施加以将所述鳍片的轻掺杂集电极区 遮蔽在所述牺牲栅极层叠之后，将所述轻掺杂集电极区形成为所述集 电极区的一部分。

16.如权利要求15所述的方法，还包括：

在所述鳍片上形成抗蚀剂掩模；以及

通过利用在所述鳍片的轻掺杂集电极区上的所述抗蚀剂掩模阻 止集电极植入物的施加，将所述轻掺杂集电极区形成为所述集电极区 的一部分。