[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具有：

沿行方向和列方向配置有多个存储器单元的存储器阵列；以及

与各列的存储器单元对应形成的多个位线，

将上述多个位线分层化为主位线和副位线，

上述主位线分散于多个布线层而形成，

在同一布线层上相邻的上述主位线彼此的间隔，比相邻的上述副位线彼此的间隔更宽。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

同一布线层上相邻的上述主位线彼此的间隔，是相邻的上述副位线彼此的间隔的2倍。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

在同一布线层内相邻的上述主位线之间，形成有规定的电位的其它布线。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，

将各布线层内的上述主位线和上述其它布线，形成为与上述副位线相同间隔。

5.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述其它布线保持在规定的固定电位上。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述规定的固定电位是向读出放大器供给电压的电源布线的电位，所述读出放大器将从存储器单元在主位线读出的信号进行放大，上述电源布线形成为网状布线构造。

7.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述其它布线，为对从存储器单元在主位线读出的信号进行放大的至少两个读出放大器公共设置，并且是传送从上述读出放大器中输出的数据的数据线。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述数据线与上述主位线相比，布线宽被形成得较宽。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

在形成有上述主位线的多个布线层之间，设置形成有将由半导体构成的字线嵌入于其中的字线嵌入布线的布线层。

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

在处于与形成有上述存储器单元的基板平行的方向的位置关系下互为相邻的上述主位线，分别形成在互为不同的布线层上。

11.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

与在行方向上相邻的各存储器单元对应的上述主位线，分别形成在互为不同的布线层上。

12.根据权利要求11所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述主位线在各布线层内以均等的间隔形成。

13.根据权利要求12所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述主位线被形成为：形成在互为不同的布线层的主位线的、与形成有存储器单元的基板平行的方向的位置，错开上述均等的间隔的1/2。

14.根据权利要求12所述的半导体存储装置，其特征在于，

在同一布线层内相邻的主位线之间，形成有规定的电位的其它布线。

15.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述多个副位线中，每两根构成折返位线构造的互补位线对。

16.根据权利要求15所述的半导体存储装置，其特征在于，

构成各互补位线对的副位线，分别形成为与上述存储器单元相同间隔。

17.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述多个主位线中，每两根构成折返位线构造的互补位线对，

上述多个主位线形成为：以互补位线对为单位分散于多个布线层中。

18.根据权利要求17所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述多个主位线，在各布线层内以互补位线对为单位形成为均等的间隔。

19.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述多个主位线中，每两根构成折返位线构造的互补位线对，

构成在与形成有存储器单元的基板平行的方向的位置关系下互为相邻的上述互补位线对的主位线，以互补位线对为单位，形成为分散于多个布线层。