[发明专利]减小上电峰值电流的多芯片封装

权利要求书

1.一种多芯片封装，包括：

多个存储芯片，每个存储芯片包括：

存储单元阵列，存储e-fuse数据，

读出电路，响应于读取信号而对所述e-fuse数据执行读取操作，

第一内部焊盘，接收第一控制信号，

电平检测器，用于当外部电源电压增加到预定的电平时，输出检测 信号，

读出控制器，当来自于电平检测器的检测信号被激活时，响应于所 述第一控制信号来生成用于定义所述读取操作的读取周期的读取信号，并且 在所述读取周期完成之后生成第二控制信号，以及

第二内部焊盘，从所述读出控制器接收所述第二控制信号；

其中，所述多个存储芯片串行连接，并且所述多个存储芯片中的每一个 存储芯片中相应的读出电路和读出控制器进行合作以实现对所述多个存储芯 片的e-fuse数据的顺序读取，以及

其中，所述多个存储芯片中的第一存储芯片的第一内部焊盘连接到地或 电源电压，其余存储芯片的第一内部焊盘连接到其前一存储芯片的第二内部 焊盘，以接收该第二内部焊盘传送的第二控制信号作为第一控制信号。

2.如权利要求1所述的多芯片封装，其中，所述多个存储芯片包括第一 和第二存储芯片，

对于所述多个存储芯片中的每一个存储芯片，均包括以相同连接方式连 接的第一和第二内部焊盘；以及

所述第一存储芯片的第二内部焊盘连接到所述第二存储芯片的第一内部 焊盘。

3.如权利要求1所述的多芯片封装，其中所述多个存储芯片中的每一个 存储芯片还包括连接到外部电源电压的外部焊盘。

4.一种多芯片封装，包括：

多个存储芯片，每个芯片包括：

存储单元阵列，存储e-fuse数据，

读出电路，响应于读取信号而对所述e-fuse数据执行读取操作，

第一内部焊盘，连接到公共控制信号，

读出控制器，响应于所述公共控制信号来生成用于定义所述读取操 作的读取周期的读取信号，并且在所述读取周期完成之后生成第二控制信号， 以及

第二和第三内部焊盘，分别连接到地或电源电压以区分所述多个存 储芯片中的每一个存储芯片，

其中，所述多个存储芯片串行连接，并且所述多个存储芯片中的每个芯 片中的相应的读出电路和读出控制器进行合作以实现对多个存储芯片上的 e-fuse数据的顺序读取。

5.如权利要求4所述的多芯片封装，其中，所述读出控制器包括：

接口电路，经由所述第一内部焊盘接收所述公共控制信号并接收所述读 取信号，并且响应于这些信号而生成计数值；以及

控制逻辑电路，经由第一和第二内部焊盘分别接收地电压或电源电压以 及来自于所述接口电路的计数值，以响应于这些信号而生成读取信号和使能 信号。

6.如权利要求5所述的多芯片封装，其中，所述接口电路包括：

上拉电阻，连接到所述第一内部焊盘；

第一晶体管，连接在所述上拉电阻和地之间，并且由所述读取信号来控 制；

第二、第三和第四晶体管，串行连接在电源电压和地之间，所述第二和 第三晶体管的栅极连接到所述上拉电阻，并且所述第四晶体管的栅极接收所 述使能信号；以及

计数器，生成与出现在所述第二和第三晶体管之间的节点上的时序信号 的逻辑转换相关的计数值。

7.如权利要求6所述的多芯片封装，其中，当所述时序信号的转换次数 等于由出现在所述第二和第三内部焊盘上的电源电压或地连接所指示的值 时，所述控制逻辑电路输出读取信号。

8.如权利要求4所述的多芯片封装，其中，所述公共控制信号还连接到 位于所述多个存储芯片外部的一个上拉电阻。