[发明专利]减小上电峰值电流的多芯片封装

说明书

相关专利申请的交叉引用 

本申请要求于2007年7月23日提交的韩国专利申请No.10-2007-73591的优先权，其全部内容在此处以引用的方式合并进来。 

技术领域

这里公开的本发明涉及半导体存储器件，更具体地讲，涉及在单一封装板上容纳多个存储芯片的多芯片封装。 

背景技术

组件和元器件的高性能、高密度、成本意识以及小型化一直是设计、制造或开发半导体装置的团体的目标和考虑对象。近年来，大多数半导体器件都在0.18微米(μm)或更低的规则下来制造。尽管如此，他们仍然在推进以更高的集成密度和更小的尺寸实现半导体器件的目标。为了减小总体尺寸和产品成本，已经提出了用于将两个或更多个单位半导体芯片安装在单一的封装板上的技术。这样的封装技术预期在减小半导体器件的尺寸方面非常有效。这种多芯片封装技术可用于将处理器和存储器芯片、逻辑芯片和存储器芯片、或多个存储器芯片一起安装在单一封装板上。因此，其在降低半导体装置的产品成本和总体尺寸方面是有效的。 

在单一封装板上安装相同类型的存储器芯片(电路小片(die)或器件)会使得存储容量增加。根据多芯片封装技术，包括在单一封装中的存储器芯片被配置成共享外部管脚(例如电源、地址、控制和数据管脚)。由于这个原因，单一封装的存储器芯片通过可选的焊盘(pad)来相互区分。 

近来，他们在不断地研究在其中容纳不同种类的半导体芯片的单一封装，以及通过将两个甚至更多个芯片安装在单一封装板上来扩展存储容量的多芯片封装。 

发明内容

本发明的实施例涉及提高了工作稳定性的多芯片封装。本发明的实施例还涉及能够减小过大峰值电流的多芯片封装。 

在一个实施例中，本发明提供了一种多芯片封装，包括多个存储芯片，每个存储芯片包括：存储单元阵列，存储e-fuse数据；读出电路，响应于读取信号而对所述e-fuse数据执行读取操作；第一内部焊盘，接收第一控制信号；电平检测器，用于当外部电源电压增加到预定的电平时，输出检测信号，读出控制器，当来自于电平检测器的检测信号被激活时，响应于所述第一控制信号来生成用于定义所述读取操作的读取周期的读取信号，并且在所述读取周期完成之后生成第二控制信号；以及第二内部焊盘，从所述读出控制器接收所述第二控制信号。所述多个存储芯片串行连接，并且所述多个存储芯片中的每一个存储芯片中相应的读出电路和读出控制器进行合作以实现对所述多个存储芯片的e-fuse数据的顺序读取，以及其中，所述多个存储芯片中的第一存储芯片的第一内部焊盘连接到地或电源电压，其余存储芯片的第一内部焊盘连接到其前一存储芯片的第二内部焊盘，以接收该第二内部焊盘传送的第二控制信号作为第一控制信号。 

在另一个实施例中，本发明提供了一种多芯片封装，该多芯片封装包括多个存储芯片，每一个存储芯片包括：存储单元阵列，存储e-fuse数据；读出电路，响应于读取信号而对所述e-fuse数据执行读取操作；第一内部焊盘，连接到公共控制信号；读出控制器，响应于所述公共控制信号来生成用于定义所述读取操作的读取周期的读取信号，并且在所述读取周期完成之后生成第二控制信号；以及第二和第三内部焊盘，分别连接到地或电源电压以区分所述多个存储芯片中的每一个存储芯片。所述多个存储芯片串行连接，并且所述多个存储芯片中的每个芯片中的相应的读出电路和读出控制器进行合作以实现对多个存储芯片上的e-fuse数据的顺序读取。