[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

栅电极，设置在半导体基板上；和

源/漏区域，设置在所述栅电极的两侧，所述源/漏区域通过注入杂质形成，

其中所述源/漏区域包括：

外延层，通过在所述栅电极的侧部的凹入位置中外延生长晶格常数不同于所述半导体基板材料的晶格常数的半导体材料而形成，所述外延层的上表面高于半导体基底的表面；和

扩散层，设置在所述半导体基板的表面层中。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述外延层设置在所述栅电极的两侧的每一侧上，并且所述扩散层设置在所述外延层的外侧。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述外延层设置为沿沟道长度方向具有预定的宽度。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述扩散层的表面低于所述栅电极下面的所述半导体基板的表面。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述源/漏区域中的一个包括所述外延层，而所述源/漏区域中的另一个仅包括所述扩散层。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中导电类型与所述扩散层的导电类型不同的相反导电类型的扩散层设置成与所述扩散层相邻，并且所述扩散层和所述相反导电类型扩散层通过设置在所述源/漏区域和所述相反导电类型的扩散层的表面上的硅化物层短路。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述半导体基板由硅组成，并且所述外延层由硅锗组成。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述源/漏区域中的一个包括所述外延层和设置在所述外延层外侧的所述扩散层。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述扩散层的表面低于所述栅电极下面的所述半导体基板的表面。

10.一种制造半导体装置的方法，包括：

第一步骤，在半导体基板上形成栅电极；

第二步骤，通过掩膜图案实行蚀刻，从而在所述栅电极的侧部凹陷形成所述半导体基板的表面层；

第三步骤，在所述半导体基板的凹入部分上形成由晶格常数不同于所述半导体基板材料的晶格常数的半导体材料组成的外延层，所述外延层的上表面高于半导体基底的表面；以及

第四步骤，通过去除所述掩膜图案来暴露所述半导体基板的所述表面层并且使杂质扩散进入所述外延层和所述半导体基板的所述表面层来形成源/漏区域，所述源/漏区域包括杂质扩散于其中的所述外延层和通过使杂质扩散进入所述表面层中而形成的扩散层。