[发明专利]垂直磁记录头及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直磁记录头，所述垂直磁记录头包括主磁极、返回磁轭和线圈， 其中，对线圈提供电流，从而主磁极产生在记录介质中记录数据所需的磁场， 所述垂直磁记录头包括：

侧部屏蔽，设置在主磁极的两侧上，每个侧部屏蔽与主磁极分开第一间 隙；

顶部屏蔽，设置在主磁极的顶部区域和侧部屏蔽的顶部区域上方并且横 跨主磁极的顶部区域和侧部磁极的顶部区域，顶部屏蔽与主磁极分开第二间 隙并且与侧部屏蔽分开预定距离，

其中，侧部屏蔽的喉高度等于或者大于顶部屏蔽的喉高度。

2.根据权利要求1所述的垂直磁记录头，其中，顶部屏蔽和侧部屏蔽之 间的距离等于第二间隙。

3.根据权利要求1所述的垂直磁记录头，还包括与主磁极的顶端分开的 辅助磁轭，以有助于将磁场聚集在主磁极的顶端上。

4.根据权利要求3所述的垂直磁记录头，其中，辅助磁轭形成在主磁极 的顶表面或者底部表面上。

5.根据权利要求1所述的垂直磁记录头，其中，主磁极由从CoFe、CoNiFe 和NiFe中选择的一种形成。

6.根据权利要求1所述的垂直磁记录头，其中，顶部屏蔽和侧部屏蔽由 NiFe形成。

7.根据权利要求1所述的垂直磁记录头，其中，线圈以螺线管形状环绕 主磁极。

8.根据权利要求1所述的垂直磁记录头，其中，线圈以平面螺旋形状环 绕返回磁轭。

9.一种制造垂直磁记录头的方法，所述方法包括：

形成主磁极并且在主磁极的两侧上形成侧部屏蔽，使得侧部屏蔽与主磁 极分开第一间隙；

在主磁极的顶部区域和侧部屏蔽的顶部区域上方并且横跨主磁极的顶部 区域和侧部屏蔽的顶部区域形成顶部屏蔽，使得顶部屏蔽与主磁极分开第二 间隙，并且顶部屏蔽与侧部屏蔽分开预定距离，

其中，侧部屏蔽形成为具有等于或大于顶部屏蔽的喉高度的喉高度。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成主磁极和侧部屏蔽的步骤 包括：

形成主磁极；

形成围绕主磁极的顶表面和侧表面的第一绝缘层，并且第一绝缘层的厚 度几乎等于第一间隙；

形成用来形成侧部屏蔽的磁层，其中，所述磁层围绕第一绝缘层的顶表 面和侧表面；

将磁层和第一绝缘层的形成在主磁极的顶表面上方的部分抛光。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成第一绝缘层的步骤包括利 用原子层沉积技术在主磁极的顶表面和侧表面上沉积Al₂O₃层。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，形成主磁极和侧部屏蔽的步骤 包括：

顺序形成第一绝缘层和停止层；

通过蚀刻第一绝缘层和停止层来形成形状与主磁极的形状相同的沟槽；

在沟槽中和停止层上形成磁层；

抛光磁层；

蚀刻第一绝缘层的两个侧部；

在第一绝缘层的两侧上形成侧部屏蔽。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，通过沉积从SiN和SiO₂中选 择的一种来形成第一绝缘层。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，通过沉积从Ta和Ru中选择 的一种来形成停止层。

15.根据权利要求9所述的方法，其中，形成顶部屏蔽的步骤包括：

在侧部屏蔽和主磁极上形成第二绝缘层，第二绝缘层的厚度几乎等于第 二间隙；

在第二绝缘层上形成顶部屏蔽。

16.根据权利要求9所述的方法，其中，主磁极由从CoFe、CoNiFe和 NiFe中选择的一种形成。

17.根据权利要求9所述的方法，其中，顶部屏蔽和侧部屏蔽由NiFe 形成。