[发明专利]垂直磁记录头及其制造方法

说明书

本申请要求于2007年6月28日在韩国知识产权局提交的第 10-2007-0064603号韩国专利申请的优先权，该申请的公开通过引用被完全包 含于此。

技术领域

本发明涉及一种垂直磁记录头及其制造方法，更具体地讲，涉及这样一 种垂直磁记录头及其制造方法，该垂直磁记录头具有被分为环绕主磁极的多 个屏蔽的返回磁轭顶部。

背景技术

硬盘驱动器的磁记录头用于记录和读取数据。信息化社会的快速工业化 和发展已经导致个人或组织使用的数据量显著增长，所以需要用于硬盘驱动 器的高密度磁记录头。磁记录方法主要可以分为纵向磁记录方法和垂直磁记 录方法。纵向磁记录方法包括沿着与磁层的表面平行的方向磁化磁层来记录 数据，垂直磁记录方法包括沿着与磁层的表面垂直的方向磁化磁层来记录数 据。由于垂直磁记录方法在记录密度方面优于纵向磁记录方法，所以已经开 发了具有各种结构的PMR头。

为了得到高记录密度，在2002年7月的第38卷第4期的IEEE Transaction on Magnetics中公开了一种环绕有屏蔽的垂直磁记录(PMR)头。

图1A是在上面的论文中描述的传统的PMR头10的剖视图，图1B是在 图1A中示出的环绕有屏蔽的返回磁轭顶部62的放大透视图。

参照图1A和图1B，传统的PMR头10包括记录头W和读取头R。记 录头W包括主磁极50、返回磁轭60、辅助磁轭40和线圈C。读取头R包括 两个磁屏蔽层30和设置在磁屏蔽层30之间的磁阻(MR)元件20。返回磁 轭顶部62形成在返回磁轭60的端部、与主磁极50相对设置，并且在辅助磁 轭62和主磁极50之间存在间隙。返回磁轭顶部62环绕主磁极50的顶端。 线圈C以螺线管形状环绕主磁极50和辅助磁轭40。当对线圈C供应电流时， 主磁极50、辅助磁轭40和返回磁轭60形成磁场的磁通路。从主磁极50向 记录介质(未示出)前进的磁通路沿着垂直方向将记录介质的记录层磁化， 并且返回到返回磁轭顶部62，从而执行记录。另外，磁阻元件20可以通过 由记录层的磁化产生的磁信号改变电阻的特性来读取记录在记录介质中的数 据。

如已知的，包括返回磁轭60的PMR头10的场梯度特性优于仅包括主 磁极50的单磁极PMR头的场梯度特性。另外，如图1B中所示，设计环绕 主磁极50的顶端的返回磁轭顶部62，从而改进PMR头10在轨道的拐角周 围的场梯度特性，从而缩小轨道间距。然而，由于图1B中的PMR头10的 返回磁轭顶部62具有高的外形，所以PMR头10的制造不容易。具体地讲， 喉高度TH明显地影响返回磁轭顶部62的设计。如果返回磁轭顶部62具有 大的喉高度TH，则主磁极50的没有穿过记录介质而是直接传播到返回磁轭 顶部62的磁场增加，从而降低记录效率。因此，适当地控制喉高度TH是重 要的。然而，当PMR头10的返回磁轭顶部62具有高的外形时，难以控制喉 高度TH，从而喉高度TH的变化增大，从而阻碍了大规模生产。

发明内容

本发明提供了一种垂直磁记录(PMR)头及其制造方法，其中，该垂直 磁记录头具有被分为环绕主磁极的多个屏蔽的返回磁轭顶部。

根据本发明的一方面，提供了一种PMR头，该PMR头包括主磁极、返 回磁轭和线圈，其中，对线圈提供电流，从而主磁极产生在记录介质中记录 数据所需的磁场。该PMR头包括：侧部屏蔽，设置在主磁极的两侧上，每个 侧部屏蔽与主磁极分开第一间隙；顶部屏蔽，设置在主磁极的顶部区域和侧 部屏蔽的顶部区域上方并且横跨主磁极的顶部区域和侧部磁极的顶部区域， 顶部屏蔽与主磁极分开第二间隙并且与侧部屏蔽分开预定距离。

顶部屏蔽和侧部屏蔽之间的距离可以等于第二间隙。

侧部屏蔽的喉高度可以等于或者大于顶部屏蔽的喉高度。

根据本发明的另一方面，提供了一种PMR头的制造方法。所述方法包 括：形成主磁极并且在主磁极的两侧上形成侧部屏蔽，使得侧部屏蔽与主磁 极分开第一间隙；在主磁极的顶部区域和侧部屏蔽的顶部区域上方并且横跨 主磁极的顶部区域和侧部屏蔽的顶部区域形成顶部屏蔽，使得顶部屏蔽与主 磁极分开第二间隙，并且顶部屏蔽与侧部屏蔽分开预定距离。