[发明专利]晶边蚀刻设备及其相关的晶片平坦化方法

权利要求书

1.一种晶边蚀刻设备，包含有：

晶片防护掩模，覆盖晶片的部分表面，其中该晶片上定义有中央区域与环绕该中央区域的晶边区域，而该晶片防护掩模包含有：

中央遮蔽区，全面覆盖该晶片的该中央区域；以及

至少一晶边遮蔽区，从该中央遮蔽区的外缘向外延伸而出，覆盖该

晶片的部分该晶边区域，并且暴露出该晶边区域的其余部分。

2.如权利要求1所述的晶边蚀刻设备，其中该晶边区域的宽度介于1毫米至3毫米之间。

3.如权利要求1所述的晶边蚀刻设备，其中该晶片防护掩模的该晶边遮蔽区从该中央遮蔽区的外缘向外延伸至该晶片的圆周。

4.如权利要求1所述的晶边蚀刻设备，其中该晶片具有至少一晶片标记，设置于该晶片的下表面并且位于该晶边区域中。

5.如权利要求4所述的晶边蚀刻设备，其中该晶片防护掩模的该晶边遮蔽区覆盖该晶片的该晶片标记。

6.如权利要求5所述的晶边蚀刻设备，其中该晶片标记包含有激光编码。

7.如权利要求1所述的晶边蚀刻设备，其中该晶片包含有至少一半导体元件与至少一晶片标记，该半导体元件位于该中央区域中且邻近该晶片的上表面，且该晶片标记设置于该晶片的上表面并且位于该晶边区域中。

8.如权利要求7所述的晶边蚀刻设备，其中该晶片防护掩模的该晶边遮蔽区覆盖该晶片的该晶片标记。

9.如权利要求1所述的晶边蚀刻设备，其中该晶片防护掩模包含有挡块、护环与至少一突出部，该护环环绕于该挡块周围，且该突出部从该护环的外缘向外延伸而出。

10.如权利要求9所述的晶边蚀刻设备，其中该晶片防护掩模的该中央遮蔽区由该挡块与该护环所构成，且该晶片防护掩模的该晶边遮蔽区由该突出部所构成。

11.如权利要求10所述的晶边蚀刻设备，其中该挡块包含有承载基座，用以载置该晶片。

12.一种晶边蚀刻设备，包含有：

承载基座，该承载基座具有承载表面，用以载置晶片，且该晶片上定义有中央区域与环绕该中央区域的晶边区域；以及

至少一喷嘴，朝向该晶片的部分该晶边区域而设置，用于提供至少一非蚀刻流体，并使该非蚀刻流体接触该晶片的部分该晶边区域。

13.如权利要求12所述的晶边蚀刻设备，其中该晶边区域的宽度介于1毫米至3毫米之间。

14.如权利要求12所述的晶边蚀刻设备，其中该晶片具有至少一晶片标记，设置于该晶片的下表面并且位于该晶边区域中。

15.如权利要求14所述的晶边蚀刻设备，其中该喷嘴朝向该晶片的该晶片标记而设置。

16.一种平坦化晶片的方法，包含有：

提供至少一晶片，并将该晶片载入晶边蚀刻设备，其中该晶片包含有基底与至少一位于该基底上的介电层，且该晶片上定义有中央区域与环绕该中央区域的晶边区域，并且该晶边蚀刻设备包括晶片防护掩模；

进行晶边蚀刻工艺，该晶边蚀刻工艺不蚀刻该晶片的该中央区域与部分该晶边区域，而蚀刻位于该晶边区域的其余部分的该介电层，其中该晶边蚀刻工艺是利用该晶片防护掩模覆盖该晶片的该中央区域与部分该晶边区域；以及

对该晶片进行化学机械抛光工艺。

17.如权利要求16所述的方法，其中该晶边区域的宽度介于1毫米至3毫米之间。

18.如权利要求16所述的方法，其中该晶片具有至少一晶片标记，设置于该晶片的下表面并且位于该晶边区域中。

19.如权利要求18所述的方法，其中该晶边蚀刻工艺不蚀刻该晶片的该晶片标记。