[发明专利]具内埋式静电防护功能的发光芯片封装结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明有关于一种发光二极管芯片封装结构及其制作方法，尤指一种具内埋式静电防护功能的发光芯片封装结构及其制作方法。

背景技术

请参阅图1所示，其为现有具有静电防护(Electro-Static Discharge，ESD)功能的发光二极管芯片封装结构的剖面示意图。由图中可知，现有的发光二极管芯片封装结构包括：一基底结构(substrate structure)1、至少一设置于该基底结构1上端的发光二极管(LED)2、一静电防护装置(ESD device)3、及一荧光胶体(fluorescent colloid)4。

其中，该发光二极管2上端的正电极端21及负电极端22藉由两条导线W1以电性连接于该基底结构1的正电极端11及负电极端12。此外，该静电防护装置3也同样设置于该基底结构1上，并且该静电防护装置3的负电极端32直接电性连接于该基底结构1的正电极区域，而该静电防护装置3的正电极端31透过一导线W2以电性连接于该基底结构1的负电极端12。再者，该荧光胶体4覆盖于该发光二极管2及该静电防护装置3上端，以保护该发光二极管2及该静电防护装置3。

然而，上述现有具有静电防护功能的发光二极管芯片封装结构仍具有下列几项缺点：

1、因为该发光二极管2所处的位置过低，因此现有的结构无法有效地提升该发光二极管2的发光效能(light emitting efficiency)。

2、由于该静电防护装置3设置于该发光二极管2的邻近区域，因此该发光二极管2的发光效能(light emitting efficiency)会受到该静电防护装置3的影响。

3、由于该静电防护装置3与该发光二极管2相邻地设置于该基底结构1的同一导电接脚上，因此该发光二极管2的散热效能(heat dissipatingefficiency)会受到该静电防护装置3的影响。

是以，由上可知，目前现有的具有静电防护功能的发光二极管芯片封装结构，显然具有不便与缺失存在，而待加以改善者。

本发明人有感上述缺失的可改善，且依据多年来从事此方面的相关经验，悉心观察且研究之，并配合学理的运用，而提出一种设计合理且有效改善上述缺失的本发明。

发明内容

本发明所要解决的技术问题，在于提供一种具内埋式静电防护功能的发光芯片封装结构及其制作方法。本发明将一发光单元与一静电防护单元彼此分开(分层)设置，以避免该发光单元受到该静电防护单元的干扰。

此外，本发明的荧光材料没有直接接触到发光单元，因此本发明可避免因发光单元所产生的高温而降低荧光材料的发光效率。

再者，本发明的结构设计更适用于各种光源，诸如背光模块、装饰灯条、照明用灯、或是扫描仪光源等应用，皆为本发明所应用的范围与产品。

为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种具内埋式静电防护功能的发光芯片封装结构，其包括：一导电单元、一第一封装单元、一静电防护单元、一第二封装单元、一发光单元、及一第三封装单元。其中，该导电单元具有至少两个导电接脚，并且该至少两个导电接脚彼此相邻排列以形成一凹陷空间。该第一封装单元包覆每一个导电接脚的一部分，以产生一与该凹陷空间相连通的容置空间，并使得每一个导电接脚的末端露出该封装单元。该静电防护单元系容置于该凹陷空间内并电性连接于上述两个导电接脚之间。该第二封装单元系容置于该凹陷空间内以覆盖该静电防护单元。该发光单元容置于该容置空间内并电性连接于上述两个导电接脚之间。该第三封装单元系容置于该容置空间内以覆盖该发光单元。

为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种具内埋式静电防护功能的发光芯片封装结构的制作方法，其包括下列步骤：首先，提供一导电单元，其具有至少两个导电接脚，并且该至少两个导电接脚彼此相邻排列以形成一凹陷空间；接着，将一第一封装单元包覆每一个导电接脚的一部分，以产生一与该凹陷空间相连通的容置空间，并使得每一个导电接脚的末端露出该封装单元；然后，将一静电防护单元容置于该凹陷空间内并电性连接于上述两个导电接脚之间；接下来，将一第二封装单元容置于该凹陷空间内以覆盖该静电防护单元；紧接着，将一发光单元容置于该容置空间内并电性连接于上述两个导电接脚之间；最后，将一第三封装单元容置于该容置空间内以覆盖该发光单元。

再者，依据不同的需要，该第三封装单元可为下列不同的实施态样：

1、第一实施态样：该第三封装单元为一透明材料(transparent material)。