[发明专利]制造半导体存储器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体存储器件的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底上顺序地形成隧道绝缘层、用于浮置栅极的导电层、介电层和用于控制栅极的导电层；

蚀刻所述用于控制栅极的导电层、所述介电层和所述用于浮置栅极的导电层以形成栅极图案，在所述栅极图案之间的隧道绝缘层上保留预定厚度的所述用于浮置栅极的导电层；

实施离子注入工艺以在所述半导体衬底上形成源极/漏极区；和

实施氧化工艺以在所述栅极图案的顶部和侧壁上形成氧化物层和将保留在所述栅极图案之间的所述用于浮置栅极的导电层转变为绝缘层，

其中所述用于浮置栅极的导电层包括多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的制造半导体存储器件的方法，其中所述用于浮置栅极的导电层包括不含杂质的非晶硅层和含杂质的多晶硅层。

3.根据权利要求1所述的制造半导体存储器件的方法，其中所述离子注入工艺使得保留在所述栅极图案之间的所述隧道绝缘层上的所述用于浮置栅极的导电层单晶化。

4.根据权利要求3所述的制造半导体存储器件的方法，其中所述离子注入工艺包括单个离子注入步骤。

5.根据权利要求3所述的制造半导体存储器件的方法，其中所述离子注入工艺包括两个或更多个离子注入步骤。

6.根据权利要求1所述的制造半导体存储器件的方法，其中保留在所述栅极图案之间的所述隧道绝缘层上的所述用于浮置栅极的导电层具有30～50的厚度。

7.根据权利要求1所述的制造半导体存储器件的方法，其中所述离子注入工艺使用15～25KeV的能量来实施。

8.一种制造半导体存储器件的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底上顺序地形成隧道绝缘层、第一导电层、介电层和第二导电层；

蚀刻所述第二导电层、所述介电层和所述第一导电层以形成栅极图案，所述第一导电层保留在所述栅极图案之间的所述隧道绝缘层上以防止暴露出所述隧道绝缘层；

实施清洗工艺，以除去在形成所述栅极图案的所述蚀刻工艺中产生的杂质；

实施离子注入工艺，以使得保留在所述栅极图案之间的所述隧道绝缘层上的第一导电层单晶化；和

实施氧化工艺，以在所述栅极图案的顶部和侧壁上形成氧化物层和将所述单晶化的第一导电层转变为绝缘层，

其中所述第一导电层包括多晶硅层。

9.根据权利要求8所述的制造半导体存储器件的方法，其中所述第一导电层包括不含杂质的非晶硅层和含杂质的多晶硅层。

10.根据权利要求8所述的制造半导体存储器件的方法，还包括在形成所述第二导电层之后，在所述第二导电层上顺序地形成栅电极层和硬掩模层的步骤。

11.根据权利要求8所述的制造半导体存储器件的方法，其中保留在所述栅极图案之间的所述隧道绝缘层上的所述第一导电层具有30～50的厚度。

12.根据权利要求8所述的制造半导体存储器件的方法，其中所述离子注入工艺使用15～25KeV的能量来实施。