[发明专利]形成半导体器件双镶嵌图案的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的双镶嵌图案的方法，所述方法包括：

在其上形成有半导体器件的元件的半导体衬底上形成绝缘层；

在所述绝缘层中形成接触孔；

在所述绝缘层上和所述接触孔内形成钝化层；

在所述钝化层上形成硬掩模图案，其中暴露出所述绝缘层的一部分和所述接触孔内的所述钝化层；

通过使用第一蚀刻工艺蚀刻所暴露的钝化层和所暴露的绝缘层以形成第一沟槽，其中所暴露的钝化层的一部分保留在所述接触孔内；

使用采用所述硬掩模图案的第二蚀刻工艺来蚀刻保留在所述接触孔内的所述钝化层；

通过使用采用所述硬掩模图案的第三蚀刻工艺蚀刻所暴露的绝缘层的一部分以形成第二沟槽，由此形成包括所述第一沟槽和第二沟槽的第三沟槽；和

除去所述硬掩模图案和所述钝化层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘层包含氧化物材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述钝化层包含底部抗反射涂层(BARC)材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一沟槽具有比所述第三沟槽浅5～50％的深度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中实施所述第二蚀刻工艺，直至在所述接触孔内形成的所述钝化层的顶表面变得至少低于所述第三沟槽的底部。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二蚀刻工艺使用干蚀刻法来实施，使得在所述硬掩模图案之下的所述钝化层没有被蚀刻。

7.根据权利要求1所述的方法，其中使用相对于所述绝缘层对所述钝化层具有高蚀刻选择性的气体来实施所述第二蚀刻工艺。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二蚀刻工艺使用蚀刻气体来实施，所述蚀刻气体包括CF₄气体和O₂气体的混合物或O₂气体。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺使用原位方法或异位方法来实施。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括在除去所述硬掩模图案和所述钝化层之后实施清洗工艺。

11.一种形成半导体器件的双镶嵌图案的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上和在所述半导体衬底上形成的半导体器件的元件上形成绝缘层；

在所述绝缘层中形成接触孔；

在所述绝缘层上和所述接触孔内形成钝化层；

在所述钝化层上形成硬掩模图案，其中暴露出所述绝缘层的一部分和所述接触孔内的所述钝化层；

通过使用采用所述硬掩模图案的第一蚀刻工艺蚀刻所暴露的钝化层和所暴露的绝缘层以形成第一沟槽，其中在邻近所述接触孔的所述绝缘层上形成角状物；

使用采用所述硬掩模图案的第二蚀刻工艺来蚀刻保留在所述接触孔内的所暴露的钝化层；和

通过使用采用所述硬掩模图案的第三蚀刻工艺蚀刻所暴露的绝缘层以形成第二沟槽，由此形成包括所述第一沟槽和第二沟槽的第三沟槽，其中通过所述第三蚀刻工艺除去所述角状物。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

除去所述硬掩模图案和所述钝化层；和

在除去所述硬掩模图案和所述钝化层之后，实施清洗工艺。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述绝缘层包含氧化物材料。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述钝化层包含底部抗反射涂层(BARC)材料。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一沟槽具有比所述第三沟槽浅5～50％的深度。

16.根据权利要求11所述的方法，其中实施所述第二蚀刻工艺，直至在所述接触孔内形成的所述钝化层的顶表面变得至少低于所述第三沟槽的底部。

17.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二蚀刻工艺使用干蚀刻法来实施，使得在所述硬掩模图案之下的所述钝化层没有被蚀刻。

18.根据权利要求11所述的方法，其中使用相对于所述绝缘层对所述钝化层具有高蚀刻选择性的气体来实施所述第二蚀刻工艺。