[发明专利]太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制造方法，该太阳能电池至少包 含有一晶圆以及极性相异的第一、第二电极层，其中，两电 极层的接面部分利用气相沉积制程形成于该晶圆的同一侧， 且两电极层间具有间距；

其中于进行气相沉积制程之前，依序于晶圆顶面形成凹 凸状的微结构，再于晶圆底面及晶圆顶面的微结构分别设置 第一、第二钝化层，其中该第一钝化层为非晶硅材质或添加 掺质碳、氮、氧的硅材质，且该第二钝化层为氧化硅或掺杂 的非晶硅材质；以及

其中于进行气相沉积制程之后以气相沉积工序于该晶圆 底面侧设置一绝缘层；

其中该气相沉积制程中包含有第一屏蔽层，该第一屏蔽 层具有复数第一开口，将该第一屏蔽层放置于该晶圆一侧进 行气相沉积，使该晶圆相对于第一屏蔽层的各第一开口沉积 有第一电极接面；

其中该晶圆形成第一电极接面的同侧，再利用具有复数 第二开口的第二屏蔽层于第一电极接面旁沉积有第二电极 接面。

2.如权利要求1所述太阳能电池的制造方法，其中各电 极层设于该晶圆的底面。

3.如权利要求2所述太阳能电池的制造方法，其中该第 二钝化层表面进一步设有一抗反射保护层。

4.如权利要求1所述太阳能电池的制造方法，其中该第 一、第二电极层分别包含有复数第一、第二电极接面以及第 一、第二金属电极，各金属电极设置于各电极接面上方。

5.如权利要求4所述太阳能电池的制造方法，其中该第 一电极接面以及第二电极接面间隔排列。

6.一种太阳能电池的制造方法，该太阳能电池至少包 含有一晶圆，于该晶圆一侧进行至少两次气相沉积，以于晶 圆同一侧形成极性相异的第一、第二电极层，而各气相沉积 使用具有复数开口的屏蔽层进行沉积，各屏蔽层的开口率决 定第一、第二电极层的间距大小；

其中于进行气相沉积制程之前，依序于晶圆顶面形成凹 凸状的微结构，再于晶圆底面及晶圆顶面的微结构分别设置 第一、第二钝化层，其中该第一钝化层为非晶硅材质或添加 掺质碳、氮、氧的硅材质，且该第二钝化层为氧化硅或掺杂 的非晶硅材质；以及

其中于进行气相沉积制程之后以气相沉积工序于该晶圆 底面侧设置一绝缘层。

7.如权利要求6所述太阳能电池的制造方法，其中该第 一、第二电极层分别包含有复数第一、第二电极接面以及第 一、第二金属电极，各金属电极设置于各电极接面上方，该 第一电极接面以及第二电极接面间隔排列。

8.一种太阳能电池的制造方法，至少包含有下列步骤：

A、提供一晶圆；

B、该晶圆一侧进行气相沉积制程，该气相沉积制程至 少包含有两次气相沉积，以于该晶圆同一侧沉积有第一、第 二电极层，且两电极层间具有间距；

其中该步骤A与步骤B之间进一步依序包含有一步骤 C2、C1，该步骤C2于晶圆顶面形成凹凸状的微结构，该步骤 C1为于晶圆底面及晶圆顶面的微结构分别设置第一、第二钝 化层，其中该第一钝化层为非晶硅材质或添加掺质碳、氮、 氧的硅材质，且该第二钝化层为氧化硅或掺杂的非晶硅材 质；以及

其中在步骤B之后进一步包含有步骤E，该步骤E为以气 相沉积工序于该晶圆底面侧设置一绝缘层；

其中该第一、第二电极层分别包含有复数第一、第二电 极接面以及第一、第二金属电极，而步骤B至少包含有下列 步骤：

B1、利用第一屏蔽层进行第一次气相沉积，使该晶圆底 面沉积有第一电极接面；

B2、利用第二屏蔽层进行第二次气相沉积，使该第一电 极接面旁沉积有第二电极接面；

B3、于该第一、第二电极接面上方分别形成有第一、第 二金属电极；

其中该步骤B3利用喷墨印刷方式或利用第三屏蔽层以 气相沉积、网印方式形成第一、第二金属电极。

9.如权利要求8所述太阳能电池的制造方法，其中该步 骤C1与步骤B之间进一步包含有一步骤D，该步骤D于该第二 钝化层表面沉积有抗反射保护层。