[发明专利]太阳能电池的制造方法有效

专利信息
申请号: 200810132694.9 申请日: 2008-07-10
公开(公告)号: CN101626045A 公开(公告)日: 2010-01-13
发明(设计)人: 洪儒生;徐文庆;何思桦 申请(专利权)人: 昆山中辰矽晶有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/042;H01L31/0224
代理公司: 北京申翔知识产权代理有限公司 代理人: 周春发
地址: 215316江苏省昆*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明有关一种太阳能电池的制造方法,目的在提供一种制造太阳能电池电极的制造方法,其藉由气相沉积制程而不需要任何光罩的微影、蚀刻制程。 

背景技术

现今广泛使用中的太阳能电池其设计具有一种p/n接面成形于顶面表面(接收光线的表面)附近,并于太阳能电池吸收光能时产生电子流。普通常见的太阳能电池设计在其晶圆1的顶面11具有第一组电气接点12,如图1所示,而第二组电气接点13则位在该晶圆1的底面14。在一种典型的光电模块里,这些个别的太阳能电池以串联方式互相作电气连接以增加电压。此一连接通常藉锡焊法将一条传导带由某一太阳能电池顶面焊至相邻太阳能电池的底面而成。 

而另种背面接点式硅太阳能电池的结构,如图2所示,二组电气接点12、13均设置于晶圆1的底面14;与传统硅太阳能电池相比较,背面接点式硅太阳能电池具有某些优点。第一优点为背面接点式电池具有较高的转换效率,此由于降低或消除了接点遮蔽的损失(由接点格栅反射出的太阳光无法转换成电力)。第二个优点为背面接点式电池要组成电气电路比较容易,也因此比较便宜,这是因为二个极性接点都在相同表面上。范例之一,与当前的光电模块组装方式相比较,以背面接点式电池能将光电模块和太阳能电池电路于单一步骤封装完成,而达成显著的费用节省效果。背面接点式电池最后一优点是能提供较均匀的外表而有较佳的美学效果。美学考虑对某些应用例而言很重要,例如建筑物-整体光电系统和汽车用光电活动车顶盖等。 

而一般背面接点式电池的制造方法,于硅晶圆底面利用多次开光罩的微影蚀刻制程,将p+型(硼)、n+型(磷)区域以及电极网印于背面端,  其包括有多次的制作光罩、曝光、显影以及蚀刻等步骤,不仅步骤较为繁杂,且光罩制程的成本较高,而网印后的热扩散处理制程所需温度约为600~800℃,如此的高温制程容易影响硅晶圆的品质。 

发明内容

本发明的主要目的即在提供一种太阳能电池的制造方法,目的在提供一种制造太阳能电池接合及电极的制造方法,其藉由气相沉积制程而不需要任何光罩的微影、蚀刻制程。 

具体而言,本发明中太阳能电池的两电极层设于晶圆的同一侧,使另侧入射的太阳光不会被电极层遮蔽,以提升光电转换效率,且各电极层利用屏蔽层进行气相沉积制程成形,而不需要任何光罩的微影、蚀刻制程,当然也不需要高温制程而破坏了晶圆的品质。 

附图说明

图1为习有太阳能电池的结构示意图; 

图2为习有背面接点式太阳能电池的结构示意图; 

图3~图9为本发明中太阳能电池的制造方法流程示意图。 

【图号说明】 

晶圆1               顶面11 

第一组电气接点12    第二组电气接点13 

底面14              晶圆21 

微结构211           第一钝化层22 

第二钝化层23        抗反射保护层24 

第一电极层25        第一电极接面251 

第一金属电极252     第二电极层26 

第二电极接面261     第二金属电极262 

导线27              绝缘层28 

第一屏蔽层31        第一开口311 

第二屏蔽层32        第二开口321 

第三屏蔽层33                      第三开口331 

具体实施方式

本发明的特点,可参阅本案图式及实施例的详细说明而获得清楚地了解。 

本发明太阳能电池的制造方法,该制造方法至少包含有下列步骤: 

步骤A、提供一晶圆21,如图3所示,该晶圆21可以为n型单晶硅晶圆; 

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