[发明专利]晶体形成方式及装置

权利要求书

1.一种晶体形成方式，利用局部高冷却方式，使液相原料的径向延伸方向形成复数的 温度差异区，以控制各初成核的形成位置及生长方向，使各初成核向上成长而形成的完整多 晶硅晶体具有较高的电钝性以及单位横切面积晶界数量较少的特性；

其中该高冷却方式以局部冷却，使液相原料的径向延伸方向形成复数间隔排列的高温 区及低温区，其中各低温区上的液相原料结晶形成复数初成核，而各初成核朝二侧径向的高 温区延伸生长；

其中该液相原料容置于坩锅中，透过对坩锅底层施以局部冷却，其中该坩锅底层进一 步设有散热装置，以对坩锅底层施以局部冷却；

其中该散热装置为一散热板，其中该散热装置靠近坩锅一侧设有与坩锅接触的区段以 构成散热区，以及与坩锅不接触的非接触区段。

2.如权利要求1所述的晶体形成方式，其中该散热装置的非接触区段是靠近坩锅一 侧设有复数低于表面不连续的凹槽。

3.如权利要求2所述的晶体形成方式，其中各凹槽间形成有与坩锅底层接触的散热 区。

4.如权利要求1所述的晶体形成方式，其中该散热装置靠近坩锅一侧设有复数突出 于表面不连续的散热区。

5.如权利要求4所述的晶体形成方式，其中各散热区可以与该散热装置一体成型； 或者各散热区可以外加于该散热装置上。

6.如权利要求1所述的晶体形成方式，其中该散热装置设有复数散热管，而各散热 管一端与坩锅底层接触，其中各散热管中充填有散热介质。

7.如权利要求1所述的晶体形成方式，其中该多晶硅晶体采用沿着初成核成长方向 纵向切割的方式避开晶界。

8.一种晶体形成装置，包括有：

一坩锅，用以容置液相原料；

加热器，设于坩锅周围；

一设于坩锅底层散热装置，其中该散热装置为一散热板，其中该散热装置靠近坩锅一 侧设有与坩锅接触的区段以构成散热区，以及与坩锅不接触的非接触区段；其中该非接触区 段为复数低于表面不连续的凹槽。