[发明专利]具多功能性积层陶瓷电容制程方法无效

专利信息
申请号: 200810132746.2 申请日: 2008-07-14
公开(公告)号: CN101630591A 公开(公告)日: 2010-01-20
发明(设计)人: 唐锦荣;叶辉邦;陈瑞祥;王宏铭;凌溢骏;陈志荣 申请(专利权)人: 禾伸堂企业股份有限公司
主分类号: H01G4/30 分类号: H01G4/30;H01G4/12
代理公司: 北京天平专利商标代理有限公司 代理人: 赵海生
地址: 台湾省台北市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 多功能 性积层 陶瓷 电容 方法
【权利要求书】:

1、一种具多功能性积层陶瓷电容制程方法,尤指积层陶瓷电容加工制程中可依使用者需求将陶瓷电容半成品先进行堆栈结合使用,其特征在于制程方法包含以下步骤:

(1)生胚制作中将已混合的陶瓷浆料进行制带、印迭及切割成固状的陶瓷电容半成品;

(2)利用黏着剂粘附于一个以上陶瓷电容半成品表面进行黏合呈堆栈状态;

(3)将黏合堆栈后的陶瓷电容半成品整体两端镀上导电材质形成端电极,再进行烧附程序使导电材质与陶瓷体的两端结合;

(4)将已沾烧附端电极的陶瓷电容半成品二端电极表面电镀上用以保护的金属材质。

2、如权利要求1所述的具多功能性积层陶瓷电容制程方法,其特征在于第1步骤中的生胚制作的制带程序为将混合浆料送到刮刀机容器内,调整刮刀与塑料载送膜距离,涂布成薄膜后进行烘干,得到所需厚度的薄膜,再进行印迭程序中的选择薄膜、网版及内电极膏,以内电极膏利用印刷机于陶瓷空白薄膜上印刷内电极,印有内电极的薄膜与未印有内电极的薄膜交替堆栈并压缩成陶瓷片,再将陶瓷片依裁切的对位线,由横向及纵向进行切割程序。

3、如权利要求1所述的具多功能性积层陶瓷电容制程方法,其特征在于第1步骤中的生胚制作以及第2步骤中的黏合动作之间为可进行烧除结程序的切割后的生胚放入炉中令内部黏结剂裂解而被去除,以1000-1400温度让生胚致密化,再进行熟导程序使离心研磨机让陶瓷粒边角不锐利,以利于陶瓷粒两端沾上引出导体。

4、如权利要求1所述的具多功能性积层陶瓷电容制程方法,其特征在于第4步骤中的电镀可于端电极表面分别镀上镍与锡等金属材质。

5、如权利要求1所述的具多功能性积层陶瓷电容制程方法,其特征在于第4步骤中的电镀可为溅镀法、电化学沈积、热蒸镀法或电子束沈积法。

6、如权利要求1所述的具多功能性积层陶瓷电容制程方法,其特征在于该复数积层陶瓷电容成品为可将端电极与预设电路板的接点接触并进行表面黏着技术Surface Mount Technology-SMT。

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