[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200810133371.1 | 申请日： | 2008-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101465321A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 吴相录;朴铉植;赵瑢泰 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
在衬底上形成多个栅极图案，每个栅极图案包括钨电极；
通过实施等离子体氧化工艺，在所述栅极图案的表面上形成覆盖层；
在所述覆盖层上形成蚀刻阻挡层；
形成层间电介质层以填充所述栅极图案之间的间隙；和
蚀刻所述栅极图案之间的所述层间电介质层以形成接触孔。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述覆盖层之后，使用 臭氧(O3)实施清洗工艺。
3.根据权利要求1所述的方法，其中在约300℃～约600℃的腔室温度 下实施所述等离子体氧化工艺。
4.根据权利要求1所述的方法，其中使用包括CF4气体、O2气体和N2气体的混合气体实施所述等离子体氧化工艺。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述CF4气体的流量为约40sccm～ 约60sccm，O2气体的流量为约20sccm～约30sccm，并且N2气体的流量 为约100sccm～约990sccm。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述覆盖层形成至约50～约300的厚度。
7.根据权利要求1所述的方法，其中在用于形成所述栅极图案的蚀刻腔 室中原位形成所述覆盖层。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述栅极图案的形成包括：
在所述衬底上依次形成栅极电介质、多晶硅电极、钨电极、栅极硬掩 模层和光刻胶图案；和
使用所述光刻胶图案作为蚀刻掩模，依次蚀刻所述栅极硬掩模层、所 述钨电极和所述多晶硅电极。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻阻挡层包括氮化物层。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻阻挡层形成至约50～约 150的厚度。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述栅极图案形成在所述单元区域 或所述周边区域中。
12.根据权利要求1所述的方法，其中在约300℃～约400℃的腔室温度 下实施所述等离子体氧化工艺。
13.根据权利要求1所述的方法，其中在约300℃～约500℃的腔室温度 下实施所述等离子体氧化工艺。
14.根据权利要求1所述的方法，所述覆盖层形成至约60～约100的 厚度。
15.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻阻挡层形成至约70～约 90的厚度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
