[发明专利]正向出光型发光二极管结构有效
| 申请号： | 200810133634.9 | 申请日： | 2008-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101630706A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 陈明言;魏梵修;陈奉宽;邱月霞;吴晓雯 | 申请（专利权）人： | 玉晶光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 正向 出光型 发光二极管 结构 | ||
1.一种正向出光型发光二极管结构，包含有：
一基座；以及
一发光芯片，结合于该基座上，该发光芯片定义有一与该基座连结的底面与一相对的顶面，以及一位于该顶面与该底面之间的外周面；
该发光芯片具有一可发出光束的发光部、一供光束穿出的出光部以及一用以反射光束的反射部，该发光部位于该发光芯片的顶、底面之间，该出光部位于该发光芯片的顶面，该反射部位于该发光芯片的外周面，所述反射部为一结合于该发光芯片的外周面的反光散热鳍片。
2.如权利要求1所述的正向出光型发光二极管结构，其中，该反射部为一覆设于该发光芯片的外周面的反光材质。
3.如权利要求2所述的正向出光型发光二极管结构，其中，该反光材质选自金属及金属化合物所构成的群组其中之一。
4.如权利要求1所述的正向出光型发光二极管结构，其中，该反射部为一覆设于该发光芯片的外周面的绝缘材质，该绝缘材质于面对该外周面的一面具有反光材质。
5.如权利要求1所述的正向出光型发光二极管结构，其中，该发光芯片的底面涂覆有一反光层。
6.如权利要求1所述的正向出光型发光二极管结构，其中，该发光芯片的顶面涂覆有一荧光体。
7.如权利要求1所述的正向出光型发光二极管结构，其中，该发光部为一主动层，该发光芯片于该主动层的相对二侧分别具有一P型半导体层与一N型半导体层，该P型半导体层的一侧面构成该发光芯片的底面，该发光芯片具有一荧光体位于该N型半导体层的一侧，该荧光体的一侧面构成该发光芯片的顶面。
8.如权利要求1所述的正向出光型发光二极管结构，其中，该发光芯片的外周面为一倾斜面。
9.如权利要求1所述的正向出光型发光二极管结构，其中，该发光芯片的外周面为一粗糙面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于玉晶光电股份有限公司，未经玉晶光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810133634.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
