[发明专利]正向出光型发光二极管结构

说明书

技术领域

本发明与发光二极管有关，详细地是指一种正向出光型发光二极管结构。

背景技术

随着光学显示器日趋轻薄，业者无不朝着决定光学显示器厚度的背光模块进行薄型化的研究。背光模块大致可区分成直下式与侧光式二种，目前直下式背光模块大多采用正向出光型(Top View)的白光或RGB混光的发光二极管作为直下式背光源。

为提供光学显示器所需的亮度，其背光模块的内部下方需排列设置相当多正向型发光二极管，且该些发光二极管大多采用结合反射杯的设计，亦即于发光晶粒的周围设置一反射杯，以对该发光晶粒所发出的部分光束进行反射及折射等动作，据此提升光强度。

然而，反射杯的设置却造成发光二极管整体体积的增加，导致背光模块的体积亦随之增加，造成背光模块薄型化困难；另一方面，背光模块所能容纳的发光二极管数目亦受到限制，致使光强度不足，且反射杯的设置亦会增加制造成本，实不符效益。

发明内容

本发明的目的在于提供一种正向出光型发光二极管结构，其具有体积小的优点，且可提供足够的光强度及降低制造成本。

为实现上述目的，本发明所提供的正向出光型发光二极管结构，包含有：

一基座；以及

一发光芯片，结合于该基座上，该发光芯片定义有一与该基座连结的底面与一相对的顶面，以及一位于该顶面与该底面之间的外周面；

该发光芯片具有一可发出光束的发光部、一供光束穿出的出光部以及一用以反射光束的反射部，该发光部位于该发光芯片的顶、底面之间，该出光部位于该发光芯片的顶面，该反射部位于该发光芯片的外周面。

所述的正向出光型发光二极管结构，其中，该反射部为一覆设于该发光芯片的外周面的反光材质。

所述的正向出光型发光二极管结构，其中，该反光材质选自金属及金属化合物所构成的群组其中之一。

所述的正向出光型发光二极管结构，其中，该反射部为一覆设于该发光芯片的外周面的绝缘材质，该绝缘材质于面对该外周面的一面具有反光材质。

所述的正向出光型发光二极管结构，其中，该发光芯片的底面涂覆有一反光层。

所述的正向出光型发光二极管结构，其中，该反射部为一结合于该发光芯片的外周面的反光散热鳍片。

所述的正向出光型发光二极管结构，其中，该发光芯片的顶面涂覆有一荧光体。

所述的正向出光型发光二极管结构，其中，该发光部为一主动层(activelayer)，该发光芯片于该主动层的相对二侧分别具有一P型半导体层与一N型半导体层，该P型半导体层的一侧面构成该发光芯片的底面，该发光芯片具有一荧光体位于该N型半导体层的一侧，该荧光体的一侧面构成该发光芯片的顶面。

所述的正向出光型发光二极管结构，其中，该发光芯片的外周面为一倾斜面。

所述的正向出光型发光二极管结构，其中，该发光芯片的外周面为一粗糙面。

由此，本发明的正向出光型发光二极管利用形成于该发光芯片外周面的反射部，对该发光部所发出的光束进行反射及折射等动作，以提升光强度，而不需额外设置一独立的反射杯，因此可大幅缩小该发光二极管的体积，以及降低制造成本。

附图说明

图1为本发明一较佳实施例的正向出光型发光二极管结构示意图。

图2类同图1，显示荧光体预先成型于发光芯片。

图3类同图1，显示发光芯片的外周面为倾斜面。

图4类同图1，显示发光芯片的外周面为粗糙面。

图5类同图1，显示反光部为反光散热鳍片。

附图中主要组件符号说明：

100正向出光型发光二极管结构

10基座

20发光芯片

20a底面             20b顶面       20c外周面

21P型半导体层       22N型半导体层

23发光部            24反射部      25出光部

26反光层            27荧光体

30封装层

E电极

具体实施方式

请参照图1，是本发明一较佳实施例的正向出光型发光二极管结构100，其包括一基座10、一设于该基座10上的发光芯片20以及一包覆该发光芯片20的封装层30；其中：

该基座10是用以承载该发光芯片20，并且与该发光芯片20电性连接。该基座10可选自任何已知的结构，如具有电极的散热承座，以及由子安装座(submount)结合电路板等其它结构。