[发明专利]半导体封装及其制造方法和包括该半导体封装的系统有效

专利信息
申请号: 200810133973.7 申请日: 2008-07-18
公开(公告)号: CN101364579A 公开(公告)日: 2009-02-11
发明(设计)人: 金坪完;李泽勋;张喆容 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/31;H01L25/00;H01L25/18;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 韩明星;张军
地址: 韩国京畿道*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制造 方法 包括 系统
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

第一绝缘体;

第一半导体芯片,具有第一有源表面和与第一有源表面相对的第一后表 面,第一半导体芯片置于第一绝缘体内,第一绝缘体暴露第一有源表面,第 一绝缘体环绕第一后表面;

柱,置于第一绝缘体内并与第一半导体芯片的侧部相邻,柱具有顶表面、 底表面和连接顶表面和底表面的侧表面,

其中,柱包含绝缘材料,柱的底表面在第一半导体芯片的第一有源表面 和第一后表面之间的中间。

2.如权利要求1所述的半导体装置,还包括第一导电图案,第一导电图 案置于第一绝缘体上并在柱的被第一绝缘体暴露的顶表面上,第一导电图案 电连接到第一半导体芯片。

3.如权利要求2所述的半导体装置,其中,第一导电图案的底表面与第 一半导体芯片的第一有源表面位于同一平面上。

4.如权利要求2所述的半导体装置,其中,第一导电图案从第一半导体 芯片的第一有源表面的边缘一直延伸到柱。

5.如权利要求2所述的半导体装置,还包括:

第二半导体芯片,置于第一半导体芯片上方;

第二导电图案,电连接到第二半导体芯片和第一导电图案。

6.如权利要求5所述的半导体装置,其中,第二半导体芯片具有第二后 表面和与第二后表面相对的第二有源表面,第二半导体芯片包括形成在第二 后表面上的第一芯片焊盘和形成在第二有源表面上的第二芯片焊盘,第一芯 片焊盘和第二芯片焊盘通过第二导电图案彼此电连接。

7.如权利要求6所述的半导体装置,其中,第二导电图案包括穿过芯片 的通孔。

8.如权利要求7所述的半导体装置,其中,穿过芯片的通孔置于柱的正 上方的位置处。

9.如权利要求6所述的半导体装置,其中,第一芯片焊盘电连接到第一 导电图案。

10.如权利要求6所述的半导体装置,还包括各向异性导电膜,各向异 性导电膜置于第一半导体芯片和第二半导体芯片之间,其中,第二半导体芯 片通过各向异性导电膜电连接到第一半导体芯片。

11.如权利要求5所述的半导体装置,还包括:

第二绝缘体,置于第一绝缘体上方,第二绝缘体包括从第二绝缘体的上 表面延伸到第二绝缘体的下表面的第一空腔,其中,

第二半导体芯片置于第二绝缘体内,

第二导电图案和第一导电图案通过第一空腔彼此电连接,

第一空腔在第二绝缘体内的位置与柱在第一绝缘体内的位置对应。

12.如权利要求11所述的半导体装置,其中,第二绝缘体的下表面暴露 第二半导体芯片的一部分,所述半导体装置还包括:

粘结层,置于第一半导体芯片和第二半导体芯片之间。

13.如权利要求12所述的半导体装置,还包括:

第三绝缘体,置于第二绝缘体上方,第三绝缘体包括从第三绝缘体的上 表面延伸到第三绝缘体的下表面的第二空腔;

第三半导体芯片,置于第三绝缘体内;

第三导电图案,电连接到第三半导体芯片,其中,第三导电图案和第二 导电图案通过第二空腔彼此电连接。

14.如权利要求13所述的半导体装置,其中,第二空腔在第三绝缘体内 的位置与柱在第一绝缘体内的位置对应。

15.如权利要求13所述的半导体装置,还包括导电材料,导电材料填充 第一空腔和第二空腔中的至少一个。

16.如权利要求13所述的半导体装置,还包括绝缘材料,绝缘材料填充 第一空腔和第二空腔中的至少一个。

17.如权利要求13所述的半导体装置,其中,第二导电图案和第三导电 图案中的至少一个置于第一空腔内。

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