[发明专利]制造薄膜晶体管基板的方法和用在该基板中的感光组合物有效

专利信息
申请号: 200810134043.3 申请日: 2008-07-22
公开(公告)号: CN101355056A 公开(公告)日: 2009-01-28
发明(设计)人: 姜勋;金载星;郑壤镐;李羲国;金柄郁;尹赫敏;吕泰勋;崔相角 申请(专利权)人: 三星电子株式会社;株式会社东进世美肯
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84;H01L21/768;G03F7/027;G03F7/039;G03F7/016;G03F7/021
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 宋莉
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 制造 薄膜晶体管 方法 中的 感光 组合
【权利要求书】:

1.一种制造薄膜晶体管基板的方法,该方法包括:

在绝缘基板上形成数据线路;

通过涂布感光组合物而在该数据线路上形成有机绝缘膜,其中该感光组 合物包含三元共聚物、基于100重量份该三元共聚物的5-100重量份的正型 感光剂、基于100重量份该三元共聚物的5-20重量份的增塑剂、以及基于 100重量份该感光组合物的50-90重量份的溶剂,其中该三元共聚物得自不 饱和羧酸、不饱和羧酸酐、或其混合物,以及不饱和的含有环氧基团的化合 物和烯属化合物;

在该有机绝缘膜中图案化接触孔;和

在该有机绝缘膜中形成像素电极,该像素电极通过该接触孔与该数据线 路电连接。

2.权利要求1的方法,其中该三元共聚物通过以下形成:

将不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、或其混合物,不饱和的含有环氧基团的 化合物以及烯属化合物共聚;和

除去未反应的单体。

3.权利要求2的方法,其中该不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、或其混合物 为5-40重量份,该不饱和的含有环氧基团的化合物为10-70重量份,并且该 烯属化合物为5-70重量份,基于100重量份的该不饱和羧酸、不饱和羧酸 酐、或其混合物、不饱和的含有环氧基团的化合物和烯属化合物。

4.权利要求1的方法,其中在该有机绝缘膜中图案化接触孔包括:

使用掩模将该有机绝缘膜曝光;和

使该有机绝缘膜在显影剂溶液中显影。

5.权利要求4的方法,其中该有机绝缘膜的感光度为200-270毫焦耳/ 平方厘米(mJ/cm2)。

6.权利要求4的方法,其中该显影剂溶液包含0.1-10重量份的碱性化 合物和90-99.9重量份的水。

7.权利要求6的方法,其中该碱性化合物选自氢氧化钠、氢氧化钾、和 碳酸钠、乙胺、正丙胺、二乙胺、二正丙胺、三甲胺、甲基二乙基胺、二甲 基乙基胺、三乙胺、醇胺、二甲基乙醇胺、甲基二乙醇胺、三乙醇胺、氢氧 化四甲铵、氢氧化四乙铵、以及包含前述碱性化合物中的至少一种的组合。

8.一种感光组合物,其包含:

三元共聚物,其中该三元共聚物得自不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、或其 混合物,不饱和的含有环氧基团的化合物和烯属化合物;

5-100重量份的正型感光剂,基于100重量份的该三元共聚物;

5-20重量份的增塑剂,基于100重量份的该三元共聚物;和

50-90重量份的溶剂,基于100重量份的该感光组合物。

9.权利要求8的感光组合物,其中该三元共聚物的按聚苯乙烯折合的重 均分子量为5,000-30,000道尔顿。

10.权利要求8的感光组合物,其中该不饱和羧酸、该不饱和羧酸酐、 或其混合物包括选自丙烯酸、甲基丙烯酸、马来酸、富马酸、柠康酸、衣康 酸、以及不饱和二羧酸酐的化合物、或包含前述化合物中的至少一种的组合。

11.权利要求8的感光组合物,其中该不饱和的含有环氧基团的化合物 选自丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、α-乙基丙烯酸缩水甘油酯、 α-正丙基丙烯酸缩水甘油酯、α-正丁基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸-β-甲基缩 水甘油酯、甲基丙烯酸-β-甲基缩水甘油酯、丙烯酸-β-乙基缩水甘油酯、甲 基丙烯酸-β-乙基缩水甘油酯、丙烯酸-3,4-环氧丁基酯、甲基丙烯酸-3,4-环氧 丁基酯、丙烯酸-6,7-环氧庚基酯、甲基丙烯酸-6,7-环氧庚基酯、α-乙基丙烯 酸-6,7-环氧庚基酯、邻乙烯基苄基缩水甘油醚、间乙烯基苄基缩水甘油醚、 对乙烯基苄基缩水甘油醚、以及甲基丙烯酸3,4-环氧环己基酯、或包含前述 不饱和的含有环氧基团的化合物中的至少一种的组合。

12.权利要求8的感光组合物,其中该烯属化合物选自基于丙烯酸酯的 化合物、基于二烯的脂肪族化合物、芳香族不饱和化合物、或包含前述化合 物中的至少一种的组合。

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