[发明专利]制造薄膜晶体管基板的方法和用在该基板中的感光组合物有效
申请号: | 200810134043.3 | 申请日: | 2008-07-22 |
公开(公告)号: | CN101355056A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
发明(设计)人: | 姜勋;金载星;郑壤镐;李羲国;金柄郁;尹赫敏;吕泰勋;崔相角 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社;株式会社东进世美肯 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/768;G03F7/027;G03F7/039;G03F7/016;G03F7/021 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 宋莉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 薄膜晶体管 方法 中的 感光 组合 | ||
1.一种制造薄膜晶体管基板的方法,该方法包括:
在绝缘基板上形成数据线路;
通过涂布感光组合物而在该数据线路上形成有机绝缘膜,其中该感光组 合物包含三元共聚物、基于100重量份该三元共聚物的5-100重量份的正型 感光剂、基于100重量份该三元共聚物的5-20重量份的增塑剂、以及基于 100重量份该感光组合物的50-90重量份的溶剂,其中该三元共聚物得自不 饱和羧酸、不饱和羧酸酐、或其混合物,以及不饱和的含有环氧基团的化合 物和烯属化合物;
在该有机绝缘膜中图案化接触孔;和
在该有机绝缘膜中形成像素电极,该像素电极通过该接触孔与该数据线 路电连接。
2.权利要求1的方法,其中该三元共聚物通过以下形成:
将不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、或其混合物,不饱和的含有环氧基团的 化合物以及烯属化合物共聚;和
除去未反应的单体。
3.权利要求2的方法,其中该不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、或其混合物 为5-40重量份,该不饱和的含有环氧基团的化合物为10-70重量份,并且该 烯属化合物为5-70重量份,基于100重量份的该不饱和羧酸、不饱和羧酸 酐、或其混合物、不饱和的含有环氧基团的化合物和烯属化合物。
4.权利要求1的方法,其中在该有机绝缘膜中图案化接触孔包括:
使用掩模将该有机绝缘膜曝光;和
使该有机绝缘膜在显影剂溶液中显影。
5.权利要求4的方法,其中该有机绝缘膜的感光度为200-270毫焦耳/ 平方厘米(mJ/cm2)。
6.权利要求4的方法,其中该显影剂溶液包含0.1-10重量份的碱性化 合物和90-99.9重量份的水。
7.权利要求6的方法,其中该碱性化合物选自氢氧化钠、氢氧化钾、和 碳酸钠、乙胺、正丙胺、二乙胺、二正丙胺、三甲胺、甲基二乙基胺、二甲 基乙基胺、三乙胺、醇胺、二甲基乙醇胺、甲基二乙醇胺、三乙醇胺、氢氧 化四甲铵、氢氧化四乙铵、以及包含前述碱性化合物中的至少一种的组合。
8.一种感光组合物,其包含:
三元共聚物,其中该三元共聚物得自不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、或其 混合物,不饱和的含有环氧基团的化合物和烯属化合物;
5-100重量份的正型感光剂,基于100重量份的该三元共聚物;
5-20重量份的增塑剂,基于100重量份的该三元共聚物;和
50-90重量份的溶剂,基于100重量份的该感光组合物。
9.权利要求8的感光组合物,其中该三元共聚物的按聚苯乙烯折合的重 均分子量为5,000-30,000道尔顿。
10.权利要求8的感光组合物,其中该不饱和羧酸、该不饱和羧酸酐、 或其混合物包括选自丙烯酸、甲基丙烯酸、马来酸、富马酸、柠康酸、衣康 酸、以及不饱和二羧酸酐的化合物、或包含前述化合物中的至少一种的组合。
11.权利要求8的感光组合物,其中该不饱和的含有环氧基团的化合物 选自丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、α-乙基丙烯酸缩水甘油酯、 α-正丙基丙烯酸缩水甘油酯、α-正丁基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸-β-甲基缩 水甘油酯、甲基丙烯酸-β-甲基缩水甘油酯、丙烯酸-β-乙基缩水甘油酯、甲 基丙烯酸-β-乙基缩水甘油酯、丙烯酸-3,4-环氧丁基酯、甲基丙烯酸-3,4-环氧 丁基酯、丙烯酸-6,7-环氧庚基酯、甲基丙烯酸-6,7-环氧庚基酯、α-乙基丙烯 酸-6,7-环氧庚基酯、邻乙烯基苄基缩水甘油醚、间乙烯基苄基缩水甘油醚、 对乙烯基苄基缩水甘油醚、以及甲基丙烯酸3,4-环氧环己基酯、或包含前述 不饱和的含有环氧基团的化合物中的至少一种的组合。
12.权利要求8的感光组合物,其中该烯属化合物选自基于丙烯酸酯的 化合物、基于二烯的脂肪族化合物、芳香族不饱和化合物、或包含前述化合 物中的至少一种的组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造