[发明专利]制造薄膜晶体管基板的方法和用在该基板中的感光组合物有效
申请号: | 200810134043.3 | 申请日: | 2008-07-22 |
公开(公告)号: | CN101355056A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
发明(设计)人: | 姜勋;金载星;郑壤镐;李羲国;金柄郁;尹赫敏;吕泰勋;崔相角 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社;株式会社东进世美肯 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/768;G03F7/027;G03F7/039;G03F7/016;G03F7/021 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 宋莉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 薄膜晶体管 方法 中的 感光 组合 | ||
本申请要求2007年7月23日提交的韩国专利申请No.10-2007-0073496的优先权以及根据35U.S.C.§119从其中产生的所有权益,其内容全部引入本文作为参考。
技术领域
公开了一种制造包含感光组合物的薄膜晶体管基板的方法。该感光组合物为有机膜的形式;该有机膜具有高的感光度、高的耐热性和良好的抗冲击性。
背景技术
液晶显示器(LCD)是使用最广泛的平板显示器之一。商购可得的LCD包括其上形成电极的两个基板以及置于所述基板之间的液晶层。当将电压施加到电极上时,液晶层的液晶分子基于所得电场改变它们的排列,从而影响光的偏振和控制透射光的量。
通过将单独的电压施加到各像素电极上而在LCD上显示图像。为了显示图像,在两个基板之一(具体为TFT基板)上提供像素电极和相关线路以及三端TFT(用于转换施加到各像素电极上的电压)。另外,有机绝缘膜可用于使像素电极和相关线路绝缘,由此降低可在其间产生的寄生电容。
然而,当将有机绝缘膜用在像素电极和多条线路之间时,用于形成有机绝缘膜的加工时间增加了TFT基板的加工时间,由此降低了生产效率。
因此,仍需要提供一种有机绝缘膜,其具有减少的加工时间而不降低该有机绝缘膜的性能。
发明内容
公开了一种制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法,该薄膜晶体管基板包括具有高的感光度、高的耐热性和良好的抗冲击性的有机绝缘膜。还公开了一种用于制造该薄膜晶体管(TFT)基板的感光组合物。所公开的实施方式的附 加特征将在下面的描述中阐明。
在实施方式中公开了一种制造薄膜晶体管基板的方法,该方法包括在绝缘基板上形成数据线路,通过涂布感光组合物而在该数据线路上形成有机绝缘膜;在该有机绝缘膜中图案化接触孔;以及在该有机绝缘膜中形成像素电极,该像素电极通过该接触孔与该数据线路电连接,其中该感光组合物包含三元共聚物,该三元共聚物得自不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、或其混合物、以及不饱和的含有环氧基团的化合物、烯属化合物;以及约5-约100重量份的正型感光剂,基于100重量份的该三元共聚物;约5-约20重量份的增塑剂,基于100重量份的该三元共聚物;以及约50-约90重量份的溶剂,基于100重量份的该感光组合物。
在可选择的实施方式中,感光组合物包含三元共聚物,其中该三元共聚物得自不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、或其混合物、和不饱和的含有环氧基团的化合物、以及烯属化合物;以及约5-约100重量份的正型感光剂,基于100重量份的该三元共聚物;约5-约20重量份的增塑剂,基于100重量份的该三元共聚物;以及约50-约90重量份的溶剂,基于100重量份的该整个组合物。
所公开的实施方式的其它详细方面包括在以下详细描述和附图中。
附图说明
在本申请的权利要求中特别指出和清楚地要求保护本发明的主题。结合附图考虑,从以下详细描述,所公开的实施方式的前述和其它目的、特征和优点将明晰,在附图中:
图1-6是顺次显示根据所公开实施方式制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法的横截面图。
详细的描述参照附图通过实例说明优选的实施方式以及优点和特征。
具体实施方式
参照以下对示例性实施方式的详细描述和附图,所公开的方法的优点和特征可更易理解。然而,所公开的实施方式可以许多不同的形式体现,并且不应被解释为限于本文中所列举的实施方式。更确切地,提供这些实施方式,使得该公开内容彻底且完整,并将所公开的实施方式的思想全面地传达给本 领域技术人员,且本发明将仅由所附权利要求限定。在整个说明书中,相同的附图标记始终表示相同的元件。
除非上下文清楚地另作说明,本文中所使用的单数形式“一种(a)”、“一个(an)”和“该”也用于包括复数形式。术语“第一”、“第二”等的使用不暗含任何特定的顺序,但被包括以鉴别各个元件。应进一步理解,当术语“包含”或“包括”用在本说明书中时,其表示所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或成分的存在,但不排除存在或添加一种或多种其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、成分和/或其集合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造