[发明专利]非易失性存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储装置，包括：

半导体基底，包括主体以及从主体突出的一对翅片；

埋入绝缘层，填充在所述一对翅片之间；

一对浮置栅电极，在所述一对翅片的外表面上，所述一对浮置栅电极的高度比所述一对翅片的高度高；

控制栅电极，在所述一对浮置栅电极上。

2.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述一对浮置栅电极覆盖所述一对翅片的上部并突出超过所述一对翅片的顶表面，并且所述一对浮置栅电极彼此分开。

3.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述埋入绝缘层突出超过所述一对翅片的顶表面。

4.如权利要求1所述的非易失性存储装置，还包括一对隧穿绝缘层，所述一对隧穿绝缘层在所述一对翅片的与埋入绝缘层相对的外表面的上部上，

其中，所述一对浮置栅电极在所述一对隧穿绝缘层上。

5.如权利要求1所述的非易失性存储装置，还包括阻断绝缘层，所述阻断绝缘层横过埋入绝缘层并在所述一对浮置栅电极上，

其中，控制栅电极在阻断绝缘层上。

6.如权利要求1所述的非易失性存储装置，还包括位于所述一对翅片的顶表面上的间隔绝缘层。

7.如权利要求6所述的非易失性存储装置，其中，间隔绝缘层朝其上端逐渐减小。

8.如权利要求6所述的非易失性存储装置，其中，间隔绝缘层限定在埋入绝缘层和所述一对浮置栅电极之间。

9.如权利要求8所述的非易失性存储装置，其中，间隔绝缘层、埋入绝缘层和所述一对浮置栅电极的上端彼此对齐。

10.如权利要求1所述的非易失性存储装置，还包括器件隔离层，所述器件隔离层在主体上以覆盖所述一对翅片的与埋入绝缘层相对的外表面的下部。

11.如权利要求10所述的非易失性存储装置，其中，所述一对浮置栅电极在所述一对翅片的未被器件隔离层覆盖的外表面的上部上。

12.如权利要求10所述的非易失性存储装置，其中，控制栅电极在器件隔离层上。

13.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，通过蚀刻体半导体晶片来形成半导体基底。

14.如权利要求1所述的非易失性存储装置，还包括通过杂质结限定在位于控制栅电极两侧的所述一对翅片中的源区和漏区。

15.如权利要求1所述的非易失性存储装置，还包括限定在位于控制栅电极两侧的所述一对翅片中的源区和漏区，并且源区和漏区由场效应引发。

16.如权利要求1所述的非易失性存储装置，还包括多个控制栅电极，所述多个控制栅电极在所述一对翅片上方，以与所述控制栅电极分开，

其中，所述控制栅电极与所述多个控制栅电极布置在NAND单元阵列中。

17.一种制造非易失性存储装置的方法，所述方法包括以下步骤：

通过蚀刻半导体基底来形成主体和一对从主体向上突出的翅片；

形成填充在所述一对翅片之间的埋入绝缘层；

在所述一对翅片的外表面上形成一对浮置栅电极，且所述一对浮置栅电极的高度高于所述一对翅片的高度；

在所述一对翅片上形成控制栅电极。

18.如权利要求17所述的方法，其中，所述一对浮置栅电极形成在所述一对翅片的上部上并突出超过所述一对翅片的顶表面，并且所述一对浮置栅电极彼此分开。

19.如权利要求17所述的方法，其中，埋入绝缘层突出超过所述一对翅片的顶表面。

20.如权利要求17所述的方法，其中，通过利用在半导体基底上的间隔绝缘层作为蚀刻掩模来蚀刻半导体基底，以形成所述一对翅片。

21.如权利要求18所述的方法，还包括在半导体基底上形成器件隔离层，使得器件隔离层突出超过半导体基底，

其中，间隔绝缘层形成在器件隔离层的突出超过半导体基底的侧壁上。