[发明专利]芯片封装结构及其工艺有效

专利信息
申请号: 200810134165.2 申请日: 2008-07-23
公开(公告)号: CN101315919A 公开(公告)日: 2008-12-03
发明(设计)人: 李珉翼;崔明律;金洪玄 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 芯片 封装 结构 及其 工艺
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种芯片封装结构及其工艺,且特别涉及一种具有电磁干扰(electromagnetic interference,EMI)屏蔽(shielding)功能的芯片封装结构及其工艺。

背景技术

在集成电路的制造上,最终封装尺寸是很重要的议题。而随着集成电路的集成度及功能的增加,连接外部电路所需的导电引脚亦随之增加。此外,随着芯片的运作速度增加,于其运作期间已无法忽视外部电磁场所产生的电磁干扰。

公知技术是采用一种打线封装结构来避免电磁干扰的问题。公知的打线封装结构是以浸渍(dipping)工艺或是点胶(dispensing)的方式来形成外壳(housing),以稳固地将外壳贴附在封装体上,并且以此外壳做为电磁干扰屏蔽。另外,也可以直接将外壳强制插入封装体中,使外壳直接配置在封装体上并使外壳与封装体紧密卡合在一起。值得注意的是,公知技术中的屏蔽(例如外壳)只配置在封装胶体(molding compound)(例如封装体)上。

发明内容

本发明的目的是公开一种芯片封装结构,可消除电磁干扰,并且其结构与公知不同。

本发明的又一目的是公开一种芯片封装结构,可避免倒装芯片结构受到电磁干扰。

本发明的再一目的是公开一种具有电磁干扰屏蔽功能的芯片封装结构的制造工艺。

为达到上述目的,本发明的技术解决方案是:

一种芯片封装结构,其包括基板、芯片、导电层以及封装胶体。其中,基板具有一承载面以及位于承载面上的至少一接地垫(ground pad)。芯片具有相对的一主动面与一背面,而且芯片以主动面朝向基板的承载面与基板接合。接地垫位于芯片之外。导电层覆盖芯片与部分承载面,并电性连接至接地垫。封装胶体配置于基板的承载面上,并且包覆芯片与导电层。

一种芯片封装工艺。首先,提供一基板以及一芯片,其中基板具有一承载面以及位于承载面上的至少一接地垫,而芯片具有相对的一主动面与一背面。接着,将芯片的主动面朝向基板的承载面而与基板接合,而且接地垫位于芯片之外。然后,形成一导电层于芯片与部分承载面上,且导电层电性连接至接地垫。之后,形成一封装胶体于基板的承载面上,并使封装胶体包覆芯片与导电层。

所述的芯片封装工艺,其形成导电层的方法可以是通过一喷墨印刷(ink-jet printing)工艺形成一溶液于芯片与部分承载面上,其中溶液可具有一溶剂与一导电材料。之后,移除溶剂,使残留的导电材料形成导电层。

所述的芯片封装工艺,其溶剂可为挥发性溶剂,而移除溶剂的方法可以是对溶液进行热处理以蒸发溶液中的溶剂。挥发性溶剂可被蒸发,因此残留的导电材料可形成导电层。

所述的芯片封装工艺,其可直接在芯片上形成遮蔽材料(例如导电层)。

所述的芯片封装工艺,其导电层可形成在芯片上以及封装胶体内以做为一遮蔽材料,而且本发明可通过喷墨印刷工艺直接形成图案化导电层,而不需要进行形成光刻胶、曝光、显影以及蚀刻金属层等步骤。

本发明的芯片封装结构及其工艺,克服了现有技术的不足,可消除电磁干扰,使倒装芯片结构避免受到电磁干扰。

附图说明

为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图,作详细说明如下,其中:

图1~图4为本发明的第一实施例的芯片封装结构的制作流程剖面图;

图5~图8为图1~图4的上视图;

图9~图10为本发明的第一实施例的芯片封装结构的工艺步骤流程图;

图11为本发明的第一实施例的封装材料固化后的步骤流程图;

图12为进一步地进行图11的步骤后的芯片封装结构的剖面图;

图13为本发明的第二实施例的芯片封装结构的剖面图;

图14为本发明的第二实施例的芯片封装结构的变化例的剖面图;

图15为本发明的第三实施例的芯片封装结构的剖面图;

图16为本发明的第三实施例的芯片封装结构的变化例的剖面图。

具体实施方式

第一实施例

图1~图4为本发明的第一实施例的芯片封装结构的制作流程剖面图,而图5~图8为图1~图4的上视图。图9~图10为本发明的第一实施例的芯片封装结构的工艺步骤流程图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810134165.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top