[发明专利]DMOS型半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种DMOS型半导体装置，在形成于半导体表面上的分离氧化膜层上进行了图形形成，形成了离子注入开口部，从该离子注入开口部进行杂质元素的离子注入，从而扩散形成基极层，在形成所述基极层之后，从上述离子注入开口部进行作为相反的导电型的杂质元素的离子注入而在上述基极层内扩散形成薄的源极层，将上述基极层的扩散深度和上述源极层的扩散深度在表面部的差作为沟道长度而构成，其特征在于，

具有从上述离子注入开口部进行与上述基极层相反的导电型的杂质元素的离子注入而在上述基极层内扩散形成为薄的源极形成限制层、和从上述离子注入开口部进行与上述源极形成限制层相同的导电型的杂质元素的离子注入而在上述源极形成限制层内扩散形成的源极层，

上述源极形成限制层在上述基极层内作为比从形成于栅极氧化膜上的栅极部的端部向其下层区域扩展生成的栅极鸟嘴部的发生区域还横向扩展的扩散层形成。

2.一种DMOS型半导体装置的制造方法，经过在硅基板的主表面上扩散形成埋入扩散层的工序、在硅基板和上述埋入扩散层上形成外延成长层的工序、在上述外延成长层上形成分离氧化膜层的工序、在栅极区域形成栅极氧化膜的工序、在上述栅极氧化膜上形成栅极部的工序、从由上述分离氧化膜层和上述栅极氧化膜构成的离子注入开口部进行杂质元素的离子注入而扩散形成基极层的工序、以及从上述离子注入开口部进行作为相反的导电型的杂质元素的离子注入而在上述基极层内扩散形成薄的源极层的工序，将上述基极层的扩散深度和上述源极层的扩散深度在表面部的差作为沟道长度而构成DMOS型半导体装置，其特征在于，

作为上述基极层形成工序的后工序且上述源极层形成工序的前工序，实施从上述离子注入开口部进行与上述基极层相反的导电型的杂质元素的离子注入而在上述基极层内扩散形成薄的源极形成限制层的工序，

在上述基极层内预先形成由比从上述栅极部的端部向其下层区域扩展的栅极鸟嘴部的发生区域还横向扩展的扩散层构成的源极形成限制层，在该源极形成限制层内形成上述源极层。

3.根据权利要求2所述的DMOS型半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述源极形成限制层形成工序利用作为上述离子注入开口部的一部分的上述栅极部的端部自对准地在上述基极层内进行上述杂质元素的离子注入而形成上述源极形成限制层。

4.根据权利要求3所述的DMOS型半导体装置的制造方法，其特征在于，

上述源极形成限制层形成工序从上述离子注入开口部进行杂质元素离子的倾斜注入，从而形成上述源极形成限制层。