[发明专利]电路装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 200810134326.8 申请日: 2003-12-04
公开(公告)号: CN101350316A 公开(公告)日: 2009-01-21
发明(设计)人: 臼井良辅;水原秀树;五十岚优助;坂本则明 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电路 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种导电箔的制造方法,其特征在于,包括如下工序:

准备导电箔的工序,该导电箔具有凹部和随后成为电极区域的凸部,所 述凸部和电路元件通过金属细线在相互连接的状态下被安装,

从所述导电箔的凸部面向包含所述凹部内部在内的区域照射等离子,利 用由所述凹部内部的侧面反射的所述等离子除去所述凹部内部附着的污染 物质的工序;

照射所述等离子时,在所述凹部的底面所述导电箔相互电气一体化,以 防止由该等离子所引起的局部电位差的产生。

2.一种电路装置的制造方法,其特征在于,包括如下工序:

在导电箔上形成自表面形成分离槽而底部连结为一体的导电图案的工 序,

在所述导电图案的所需位置安装电路元件,将所述电路元件和所述导电 图案通过金属细线连接的工序,

向包含所述分离槽的所述导电箔表面照射等离子,利用由所述分离槽的 侧面反射的所述等离子除去所述分离槽上附着的污染物质的工序,

以覆盖所述电路元件,并且填充所述分离槽,同时紧密贴合在由于所述 等离子的照射而粗糙化的所述导电箔表面的方式,形成树脂层的工序,

除去所述导电箔的表面直到填充所述分离槽的所述树脂层露出,由此将 各个所述导电图案电分离的工序。

3.一种电路装置的制造方法,其特征在于,包括如下工序:

在导电箔上形成自表面形成分离槽而底部连结为一体的导电图案的工 序,

在所述导电图案的所需位置安装电路元件,将所述电路元件和所述导电 图案通过金属细线连接的工序,

向包含为弯曲面的所述分离槽在内的所述导电箔表面的、包含所述电路 元件在内的区域照射等离子,利用由所述分离槽的侧面反射的所述等离子除 去所述分离槽上附着的污染物质的工序,

以覆盖所述电路元件,开且填充所述分离槽的方式,由树脂层密封的工 序,

除去所述导电箔的背面直到填充所述分离槽的所述树脂层露出,由此将 各个所述导电图案电分离的工序。

4.一种电路装置的制造方法,该方法中将导电箔作为导电部件的材料 使用,该导电箔设置有自表面形成分离槽而成的凸状并且底部连结为一体的 导电图案,该制造方法的特征在于,

在所述导电图案的规定位置安装电路元件,将所述电路元件和所述导电 图案通过金属细线连接,

从所述导电箔的上方向包含所述分离槽在内的所述导电箔的表面照射 等离子,使所述分离槽的侧面粗糙化。

5.一种电路装置的制造方法,其特征在于,包括如下工序:

在导电箔上形成自表面形成有分离槽的凸状且底部连结为一体的导电 图案的工序,

在所述导电图案的规定位置安装电路元件,将所述电路元件和所述导电 图案通过金属细线连接的工序,

从所述导电箔的上方向包含所述分离槽在内的所述导电箔的表面照射 等离子,使所述分离槽的侧面粗糙化的工序,

以覆盖所述电路元件并且填充所述分离槽的方式由密封树脂进行密封 的工序。

6.如权利要求5所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述等离 子直接照射所述分离槽的侧面,利用为弯曲面的所述分离槽的侧面反射所述 等离子的离子。

7.如权利要求5所述的电路装置的制造方法,其特征在于,通过所述 等离子的照射除去附着在所述分离槽侧面的污染物质。

8.如权利要求4或5所述的电路装置的制造方法,其特征在于,所述 分离槽的剖面为上端部向内侧突出的弯曲形状。

9.如权利要求5所述的电路装置的制造方法,其特征在于,由所述密 封树脂密封的工序中,使所述密封树脂紧密贴合在被粗糙化的所述分离槽的 侧面。

10.如权利要求5所述的电路装置的制造方法,其特征在于,还具有以 下工序:除去所述导电箔的背面直到所述密封树脂在所述导电箔的背面露 出,由此将各个所述导电图案电分离的工序。

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