[发明专利]电路装置的制造方法

说明书

本申请为三洋电机株式会社、关东三洋半导体股份有限公司于2003年 12月4日向中国专利局提交的题为“电路装置的制造方法”的申请号为 200310119584.6的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及电路装置的制造方法，特别是涉及通过在导电箔上照射等离 子体除去其表面黏附的残渣的电路装置的制造方法。

背景技术

近年来，由于在电子设备上设置的电路装置被使用在手机、笔记本电脑 等上，因而寻求小型化、薄型化及轻量化。例如，在作为电路装置的半导体 装置中，为满足这样的所需而开发了被称为CSP(Chip size package(芯片尺寸 封装))的，和芯片尺寸相同或稍大尺寸的半导体装置。但是，在一般的CSP 中，为支撑装置整体必须使用玻璃环氧树脂衬底或陶瓷衬底等作为支撑衬底 的构成要素。由此，由于支撑衬底为厚的部件，因而具有半导体装置整体尺 寸变大等问题。

鉴于上述这样的问题而开发了不需要支撑衬底的电路装置(例如，参照 专利文献1)。以下说明该电路装置的制造方法。

参照图10(A)，准备由铜等金属构成的导电箔100，形成实现规定电气 电路这样的导电图案100A。作为形成分离槽的方法可由使用耐蚀刻掩膜的 公知的蚀刻工序进行。

参照图10(B)，在导电图案100A表面固定电路元件。作为电路元件， 电容或电阻等片状部件103及半导体元件102等被固定。另外，半导体元件 102的电极和导电图案100A介由金属细线电连接。

参照图(C)，利用密封树脂105进行覆盖，由前工序固定的电路元件被 覆盖，在导电箔100的分离槽101中也填充密封树脂。

参照图10(D)，将导电箔100自背面进行蚀刻，直至露出在分离槽101 中填充的密封树脂105，进行导电箔100的除去。由此，各导电图案100A 被电分离。然后，进行抗焊剂的形成和外部电极的形成等。最后，通过由点 划线位置切割密封树脂105将各电路装置分离。由上述的工序制造不需要支 撑衬底的电路装置。

另外，进行由金属构成的图案表面上黏附的污染物的除去等的技术有照 射等离子体的技术。参照图11说明在安装半导体装置的引线架上照射等离 子体来除去表面黏附的污染物的方法。

参照图11(A)说明经过进行引线架加工的工序及元件安装的工序等后引 线架110的结构。在接合面状形成的岛114上安装半导体元件112，并包围 岛114设置多条引线111。另外，引线111与半导体元件112表面设置的电 极相对应，且各电极介由金属细线113和引线111电连接。

参照图11(B)说明进行等离子体照射的工序。首先，在密封的容器内部 载置引线架110。其次，将气体导入容器内部，通过放电生成等离子体气体。 而后，在等离子体气体中存在的自由基或离子在引线架110表面碰撞进行引 线架110表面的清洗。

专利文献1

特开2002-076246号公报(第7页，图1)

发明内容

但是，在所述的电路装置的制造方法中，具有如下问题，由于直至进行 树脂密封的工序等，导电箔100表面被污染。该污染物考虑有分离槽101的 形成工序使用的蚀刻剂中包含的有机性残渣或空气中的尘埃等。另外，当在 所述这样的污染物黏附在导电箔100的表面上的状态下进行密封树脂105的 密封时，密封树脂105和导电箔100的黏附力会降低。

另外，在利用图11所示的离子照射进行的引线架的清洗方法中，由于 以复杂的形状加工，以形成岛114或引线111，因而通过离子照射在引线架 110上会产生局部电位的增加。因此，引线架局部的电位差介由金属细线113 把电流流入半导体元件112上，会使在半导体元件表面形成的CMOS等元件 被击穿。另外，由于在等离子体照射的工序中引线架110形成高温，故具有 引线变形和金属细线113折断的问题。

本发明是鉴于这样的问题而开发的，本发明的主要目的在于，提供通过 在导电箔表面照射等离子体进行导电箔表面的清洗及粗糙化的电路装置的 制造方法。另外，本发明的主要目的在于，提供解决在使用等离子体除去导 电性材料表面黏附的污染物时产生的半导体元件的击穿等问题的电路装置 的制造方法。