[发明专利]半导体集成电路装置的制造方法有效
申请号: | 200810134716.5 | 申请日: | 2008-07-23 |
公开(公告)号: | CN101359586A | 公开(公告)日: | 2009-02-04 |
发明(设计)人: | 藤井一行;花崎稔;川原田元;滝正和;津田睦 | 申请(专利权)人: | 株式会社瑞萨科技 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;C23C16/44 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体集成电路装置的制造方法,其特征在于包含以下步骤:(a)向具有第1等离子体激发系统的等离子体CVD装置的晶片处理室内导入第1晶片;(b)针对导入到所述晶片处理室内的所述第1晶片,通过所述第1等离子体激发系统来进行等离子体激发,以此执行等离子体CVD处理;(c)在所述步骤(b)之后,将所述第1晶片从所述晶片处理室内排出到外部;(d)在所述步骤(c)之后,对所述晶片处理室执行远程等离子体清洁;(e)向执行了所述远程等离子体清洁的所述晶片处理室内导入第2晶片;以及(f)针对导入到所述晶片处理室内的所述第2晶片,通过所述第1等离子体激发系统来进行等离子体激发,以此执行所述等离子体CVD处理,这里,所述步骤(d)包含以下的步骤:(d1)于设置在所述晶片处理室之外的远程等离子体产生室中,通过第2等离子体激发系统对清洁气体进行等离子体激发,并将经过激发的所述清洁气体移送到所述晶片处理室内;(d2)通过电容耦合型的第3等离子体激发系统,对所述清洁气体进行等离子体激发,以此使所述晶片处理室内或用来对所述晶片处理室进行排气的真空排气系统内生成局部等离子体;(d3)对所述局部等离子体的电气特性进行监控,以此检测出所述远程等离子体清洁的终点;以及(d4)根据所述步骤(d3)的结果,使所述远程等离子体清洁终止。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置的制造方法,其特征在于,所述第3等离子体激发系统具有激发天线部,该激发天线部的前端部插入在所述晶片处理室内或所述真空排气系统内。
3.根据权利要求2所述的半导体集成电路装置的制造方法,其特征在于,所述前端部插入在所述真空排气系统内。
4.据权利要求3所述的半导体集成电路装置的制造方法,其特征在于,所述前端部包含以下部分:(i)露出的激发电极部;以及(ii)露出的接地电极部,该接地电极部与所述激发电极部靠近且电性分离地设置。
5.根据权利要求4所述的半导体集成电路装置的制造方法,其特征在于,所述激发天线部为单极型。
6.根据权利要求5所述的半导体集成电路装置的制造方法,其特征在于,所述电气特性为所述局部等离子体的阻抗或与其对应的物理量。
7.根据权利要求6所述的半导体集成电路装置的制造方法,其特征在于,所述物理量为所述局部等离子体的等离子体电压、自偏压或等离子体电流。
8.根据权利要求5所述的半导体集成电路装置的制造方法,其特征在于,所述真空排气系统具有涡轮分子泵,所述前端部插入在所述晶片处理室与所述涡轮分子泵间的所述真空排气系统内。
9.根据权利要求8所述的半导体集成电路装置的制造方法,其特征在于,所述激发电极部的面积小于所述第1晶片的单一主面的面积的1%。
10.根据权利要求8所述的半导体集成电路装置的制造方法,其特征在于,所述激发电极部的面积小于所述第1晶片的单一主面的面积的0.5%。
11.根据权利要求8所述的半导体集成电路装置的制造方法,其特征在于,所述激发电极部的面积小于所述第1晶片的单一主面的面积的0.3%。
12.根据权利要求8所述的半导体集成电路装置的制造方法,其特征在于,所述激发电极部的面积小于所述第1晶片的单一主面的面积的0.1%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造