[发明专利]半导体集成电路装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明是关于一种适用于半导体集成电路装置(或半导体装置)的制造方法中的CVD技术的有效技术。

背景技术

在日本专利特开2002-033312号公报(专利文献1)或美国专利6592817号公报(专利文献2)中揭示有：在等离子体CVD装置的远程等离子体清洁中，在排气管路的中途设置T字型天线，以此来激发排气，由此监控其发光而检测出清洁的终点。

在日本专利特开08-193271号公报(专利文献3)或美国专利5830310号公报(专利文献4)中揭示有：在等离子体CVD装置的等离子体清洁中，通过CVD腔室的电气等离子体监控器来检测出清洁的终点。

在日本专利特开2002-270513号公报(专利文献5)中揭示有：在等离子体CVD装置的清洁中，通过气体传感器来对排气进行气体分析，以此检测出清洁的终点。

在日本专利特开09-143742号公报(专利文献6)或美国专利5902403号公报(专利文献7)中揭示有：在等离子体CVD装置的清洁中，通过对排气进行压力监控，从而检测出清洁的终点。

在日本专利特开2002-151475号公报(专利文献8)中揭示有：在等离子体CVD装置的远程等离子体清洁中，在将排气管路的中途分支出的部分设置电感耦合型的等离子体放电机构，以此来激发排气，从而对该等离子体进行电气监控以检测出清洁的终点。

在日本专利特开2005-033173号公报(专利文献9)或美国专利公开2004-0253828号公报(专利文献10)中揭示有：在等离子体CVD装置的远程等离子体清洁中，在CVD腔室内进行微弱的等离子体激发，并对该等离子体进行电气监控以检测出清洁的终点。

在日本专利特开2006-210415号公报(专利文献11)中详细揭示有等离子体装置中的各种阻抗测量方法。

在日本专利特开2002-057149号公报(专利文献12)或美国专利7201174号公报(专利文献13)中揭示有：在等离子体CVD装置的远程等离子体清洁中，在腔室的下部设置局部的等离子体激发部，监控其发光以检测出清洁的终点。

[专利文献1]

日本专利特开2002-033312号公报

[专利文献2]

美国专利6592817号公报

[专利文献3]

日本专利特开08-193271号公报

[专利文献4]

美国专利5830310号公报

[专利文献5]

日本专利特开2002-270513号公报

[专利文献6]

日本专利特开09-143742号公报

[专利文献7]

美国专利5902403号公报

[专利文献8]

日本专利特开2002-151475号公报

[专利文献9]

日本专利特开2005-033173号公报

[专利文献10]

美国专利公开2004-0253828号公报

[专利文献11]

日本专利特开2006-210415号公报

[专利文献12]

日本专利特开2002-057149号公报

[专利文献13]

美国专利7201174号公报

发明内容

一般而言，在半导体集成电路装置或半导体装置的制造步骤中的等离子体CVD步骤中，为了确保异物的减少和良好的成膜特性，在每次对单位晶片(单片式为1片)进行处理后都要对处理室进行清洁处理(在处理室内无被处理晶片的状态下)，从而将对之前的晶片进行成膜时出现在处理室内的堆积膜予以去除。该清洁处理通常是通过下述方式来进行，以使得处理室内的电极及其它精密构件不会受到损伤，即：将在处理室的外部对NF₃等清洁气体进行等离子体激发等而生成的氟自由基等导入到处理室(一般称为“远程等离子体清洁”)，利用气相反应来将所附着的堆积膜去除。该清洁时，由于未对处理室供给成膜用的高频电力，因此为了观察清洁的终点，考虑局部地激发清洁环境，并观察其发光，或者对局部地激发出的等离子体进行电气计量。

然而，本案发明者们已明确的是，当实际应用于量产步骤时会存在各种问题。第1，其条件与成膜时不同，成膜时的条件并不适合于等离子体激发，因此局部地激发等离子体本身就比较困难。第2，即便设法激发出了等离子体，但使用光的方法存在着检测窗模糊这一CVD工艺中不可避免的问题，因而并不适合于量产步骤。