[发明专利]形成半导体器件的图案的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的精细图案的方法，所述方法包括：

限定半导体基板的单元区域和外围电路区域；

在所述半导体基板上形成基层；

在所述单元区域的基层上形成牺牲图案；

通过如下步骤在所述牺牲图案的侧壁上形成间隔物：

获得包括彼此连接的两个相邻线型间隔物图案的间隔物图案；

形成第二光阻图案，所述第二光阻图案使得在所述半导体基板上由所述间隔物形成的线型图案的两端露出；以及

使用所述第二光阻图案作为掩模蚀刻露出的间隔物以分割连接的间隔物图案；

移除所述牺牲图案以形成间隔物图案；

在所述外围电路区域的基层上形成限定外围电路图案的掩模图案；以及

使用所述间隔物图案和光阻图案对所述单元区域和所述外围电路区域中的基层图案化，以获得单元图案和外围电路图案。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述间隔物图案时，在划线道上形成对准键或覆盖键标图案。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述外围电路区域中的光阻图案是使用正抗蚀剂形成的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述外围电路区域中的光阻图案是使用负抗蚀剂形成的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述牺牲图案的至少一个端部以预定角度弯曲。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述掩模图案包括有机膜、无机膜、以及包括所述有机膜和所述无机膜的沉积图案。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，

形成所述间隔物的步骤包括：

在所述半导体基板上形成间隔物材料层；以及

执行回蚀工序。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，

移除所述牺牲图案的步骤是通过湿式蚀刻工序执行的。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括，

在所述基层上形成硬掩模层。

10.一种形成半导体器件的精细图案的方法，所述方法包括：

在半导体基板上形成第一硬掩模层；

在所述第一硬掩模层上形成蚀刻阻挡膜；

在所述蚀刻阻挡膜上形成牺牲膜；

在所述牺牲膜上形成第二硬掩模层；

对所述第二硬掩模层图案化以形成第二硬掩模图案，从而由间隔物区域限定精细图案；

使用所述第二硬掩模图案蚀刻所述牺牲膜以形成牺牲图案；

移除所述第二硬掩模图案以在所述牺牲图案的侧壁上形成间隔物；

移除所述牺牲图案以形成间隔物图案；

形成限定虚设图案的光阻图案，所述虚设图案用于在所述间隔物图案的外侧区域中形成接垫；

使用所述间隔物图案和所述光阻图案作为掩模蚀刻所述蚀刻阻挡膜和所述第一硬掩模层；以及

移除所述间隔物图案、所述光阻图案和所述蚀刻阻挡膜，以形成限定所述精细图案的第一硬掩模图案。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，

所述第二硬掩模图案的至少一个端部以预定角度弯曲。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，

形成所述间隔物的步骤包括：

在所述半导体基板上形成间隔物材料层；以及

执行回蚀工序。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，

移除所述牺牲图案的步骤是通过湿式蚀刻工序执行的。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，

形成所述间隔物图案的步骤包括：

获得包括彼此连接的两个相邻线型间隔物图案的间隔物图案；

形成第二光阻图案，所述第二光阻图案使得在所述半导体基板上由所述间隔物形成的线型图案的两端露出；以及

使用所述第二光阻图案作为掩模蚀刻露出的间隔物以分割连接的间隔物图案。

15.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在形成所述间隔物图案时，在划线道上形成对准键或覆盖键标图案。

16.根据权利要求10所述的方法，其中，

所述外围电路区域中的光阻图案是使用正抗蚀剂形成的。

17.根据权利要求10所述的方法，其中，

所述外围电路区域中的光阻图案是使用负抗蚀剂形成的。