[发明专利]升压电路和升压方法

权利要求书

1.一种升压电路，包括：

升压电容器，向所述升压电容器施加有输入电压；

平滑电容器，向所述平滑电容器施加有升压电压；

放电MOS晶体管，被构造成在升压操作时间段期间在放电操作中 将所述升压电容器和所述平滑电容器相连接，以便所述升压电容器中 存储的电荷被放电至所述平滑电容器；以及

充电MOS晶体管，被构造成在所述升压操作时间段期间在充电操 作中将所述输入电压施加到所述升压电容器，以便对所述升压电容器 进行充电；

其中，所述充电MOS晶体管的背栅和所述放电MOS晶体管的背 栅被连接到公共节点，并且

在所述充电操作和所述放电操作期间，所述公共节点被连接到不 同的电压。

2.根据权利要求1所述的升压电路，还包括：

第一连接开关，被构造成在所述放电操作中将所述公共节点连接 到所述升压电容器；和

第二连接开关，被构造成在所述充电操作中将所述公共节点连接 到所述平滑电容器。

3.根据权利要求1所述的升压电路，还包括：

第一逻辑电路，被构造成在所述升压操作时间段之前的初始充电 时间段中控制所述充电MOS晶体管以将其导通，以便将所述输入电压 施加到所述升压电容器；和

第二逻辑电路，被构造成在所述初始充电时间段中控制所述放电 MOS晶体管以将其导通，以便将所述输入电压经由所述充电MOS晶 体管施加到所述平滑电容器。

4.根据权利要求1所述的升压电路，还包括：

供应电路，被构造成在所述升压操作时间段之前的初始充电时间 段中当所述公共节点的电压比所述输入电压低预定电压时将所述输入 电压供应到所述公共节点。

5.根据权利要求4所述的升压电路，其中，所述供应电路包括肖 特基势垒二极管。

6.根据权利要求4所述的升压电路，其中所述供应电路包括：

当在所述初始充电时间段中供应启动信号时即刻导通的第一晶体 管开关；和

当在所述初始充电时间段中供应所述启动信号之后过了预定时间 才导通的第二晶体管开关，

其中，所述第一晶体管开关和所述第二晶体管开关作为并联电路 被并联连接，所述并联电路被供应有所述输入电压并且连接到所述公 共节点，并且

当所述第一和第二晶体管开关中的一个被导通时，所述输入电压 被供应到所述放电MOS晶体管的背栅。

7.根据权利要求3所述的升压电路，还包括：

第一开关，被构造成在所述初始充电时间段之前的备用时间段期 间使得所述平滑电容器响应于备用信号而放电；和

第二开关，被构造成在所述备用时间段期间使得所述升压电容器 响应于所述备用信号而放电。

8.根据权利要求7所述的升压电路，还包括：

逻辑电路，被构造成控制所述第二开关，使得当所述平滑电容器 的电压高于预定电压时，所述第二开关与所述备用信号无关地截止， 并且当所述平滑电容器的电压变得等于或者低于所述预定电压时，所 述第二开关响应于所述备用信号被导通。

9.根据权利要求1到8中任一项所述的升压电路，其中，所述充 电MOS晶体管和所述放电MOS晶体管在相同的阱层上形成。

10.一种升压方法，包括：

在升压操作时间段期间在充电操作中通过充电MOS晶体管利用 输入电压对升压电容器充电；

通过放电MOS晶体管将在所述升压电容器中存储的电荷放电到 平滑电容器；以及

在所述充电操作和放电操作中将公共节点连接到不同电压，其中， 所述公共节点被连接到所述充电MOS晶体管的背栅和所述放电MOS 晶体管的背栅。

11.根据权利要求10所述的升压方法，其中所述连接包括：

在放电操作中将所述公共节点连接到所述升压电容器；和

在所述充电操作中将所述公共节点连接到所述平滑电容器。