[发明专利]发光装置无效

专利信息
申请号: 200810135931.7 申请日: 2008-07-03
公开(公告)号: CN101339891A 公开(公告)日: 2009-01-07
发明(设计)人: 难波笃史;荒川俊也;中里邦雄;高桥久也;远藤忠;山口五郎;岩崎峰人 申请(专利权)人: 富士重工业株式会社;昭荣化学工业株式会社
主分类号: H01J63/06 分类号: H01J63/06
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种发光装置,其利用从冷阴极电子发射源场致发射的电子而使发光体(荧光体)受激发光,由此产生白光。

背景技术

近年来,相对于白炽灯或荧光灯这样的现有发光装置,已开发出冷阴极场致发射型的发光装置,其通过在真空中,使从冷阴极电子发射源场致发射的电子高速与发光体(荧光体)碰撞,而使发光体受激发光,具有作为场致发射型照明灯(Field Emission Lamp:FEL)或场致发射型显示装置(Field Emission Display:FED)的用途。

在这些发光装置中,在FED的制造工序中,通常多采用对应于像素大小等的微米级的各种显微处理。例如,在FED制造工序中,利用溅射法或CVD法等用于半导体芯片等的公知的显微处理,在玻璃或陶瓷类等的绝缘性基板上形成阴极(负极)。另外,通过在绝缘性基板上直接、或通过与形成在绝缘性基板表面上的配线层连接而形成柱状熔融材料,并将开设有多个直径为10~100μm的开口部的板厚为30~60μm的金属薄板固定在该柱状熔融材料上,从而形成门极。

另一方面,对于专门用于灯用光源等的FEL,不需要对负极等实施如FED那样的微米级的微细加工,对于门极上开设的开口部,其直径为毫米级的较大的直径即可(例如,参照专利文献1)。

因此,在FEL制造中,通过取消设备需要大量费用等的显微处理,将仅通过大气环境的处理即可大量生产的部件组装而制造出最终的各种功能部件,则可实现大幅度的成本降低。例如,可以通过由以板厚为0.几mm程度的金属板作为基材的单独的功能部件分别构成负极及门极,并将它们安装在真空容器内,而低价地制造FEL。

专利文献1:特开2006-339012号公报

发明内容

此外,这种FEL在作为各种照明用的光源使用等的多数情况下,要求其发出白光。

但是,如在荧光管中广泛使用的发光体等所示,对于利用紫外线激励发出白光的发光体来说,已开发出大量高亮度发光的发光体,但对于利用电子激励发出白光的发光体来说,目前还没有开发出以足够高的亮度发光的发光体。

因此,在FEL中,例如,在将受激发出白光的发光体设置在正极而获得白光的情况下,发光体层的能量损耗增大,可能难以高效地产生高亮度的白光。

本发明是鉴于上述情况提出的,其目的在于提供一种可以高效地产生高亮度的白光的发光装置。

本发明的特征在于,该发光装置在真空容器内设有:负极,其表面上形成有冷阴极电子发射源;以及正极,其在与前述负极相对的表面上形成有由多种发光体混合而成的发光体层,前述发光体由从前述冷阴极电子发射源场致发射的电子激励发光,前述各种发光体具有通过使各自发出的光混光而生成白光的关系,分别分布在前述发光体层的表面上,能够由前述场致发射的电子直接照射,同时,至少任意1种前述发光体具有还可以被来自其它种类的前述发光体的光激励而发光的特性。

发明的效果

根据本发明的发光装置,可以高效地产生高亮度的白光。

附图说明

图1是发光装置的基本结构图。

图2是放大表示发光体层的示意图。

图3是对于蓝色发光体及黄色发光体的受激发光的说明图。

图4是表示由蓝色发光体自身、黄色发光体自身以及将其混合

而形成的各个发光体层发出的光的亮度分布的图表。

图5是表示发光体层中的蓝色发光体和黄色发光体的重量比与亮度间关系的图表。

具体实施方式

下面,参照附图说明本发明的实施方式。附图涉及本发明的一个实施方式,图1是发光装置的基本结构图,图2是放大表示发光体层的示意图,图3是对于蓝色发光体及黄色发光体的受激发光的说明图,图4是表示由蓝色发光体自身、黄色发光体自身以及将其混合而成的各个发光体层发出的光的亮度分布的图表,图5是表示发光体层中的蓝色发光体和黄色发光体的重量比与亮度间关系的图表。

如图1所示,本实施方式中的发光装置1是例如作为平面状的场致发射型白色照明灯使用的发光装置,其具有下述基本结构,即,在以规定间隔相对配置玻璃基板2、3而成的真空容器4内,从基底面侧向投光面侧依次配置负极5、门极10、正极15。

负极5由形成在成为基底面的玻璃基板2上的导电材料构成,例如,通过蒸镀或溅射法等沉积铝或镍等金属,或涂敷银焊剂并干燥·烧结等而形成。在该负极5的表面以膜状涂敷碳纳米管、碳纳米壁、Spindt型微锥、金属氧化物晶须等发射极材料,形成冷阴极电子发射源6。

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