[发明专利]用于多芯片平面封装的方法有效
申请号: | 200810136332.7 | 申请日: | 2008-11-27 |
公开(公告)号: | CN101431034A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
发明(设计)人: | 刘建强;郭涛;苗新利;范波 | 申请(专利权)人: | 江苏康众数字医疗设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 孙仿卫 |
地址: | 215125江苏省苏州市工业园区星*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 芯片 平面 封装 方法 | ||
1.一种用于多芯片平面封装的方法,其特征在于:该方法通过A方案或B方案实现,其中,A方案包括如下步骤:
(1)拼放工序:利用一拼放装置将多个芯片拼放在该装置的拼放平台上,并使得各个芯片的相对坐标位置满足预加工产品的设定要求;
(2)粘接工序:将拼放好的多个芯片经过转移过程一起转移到一过渡盘上,再对位于该过渡盘上的多个芯片之间的间隙进行填缝,再将填好缝的多个芯片一起粘接到涂有粘接材料的基板上,其中,在此工序中要始终保持各芯片之间的相对坐标位置不变;
(3)互连工序:利用喷墨打印方法或光刻方法实现对粘接在一起的多个芯片进行金属导线互连;
(4)钝化工序:将互连导线之后的多个芯片放置于涂胶装置上涂上钝化胶,固化,实现对多个芯片的钝化,即完成对多个芯片的平面封装;
B方案包括如下步骤:
(1)拼放工序:利用一拼放装置将多个芯片拼放在该装置的拼放平台上,并使得各个芯片的相对坐标位置满足预加工产品的设定要求;
(2)粘接工序:利用粘接材料对多个芯片之间的间隙进行填缝,再将填好缝的多个芯片经过转移过程转移到一过渡盘上,再将位于该过渡盘上的多个芯片一起粘接到涂有粘接材料的基板上,其中,在此工序中要始终保持各芯片之间的相对坐标位置不变;
(3)互连工序:利用喷墨打印方法或光刻方法实现对粘接在一起的多个芯片进行金属导线互连;
(4)钝化工序:将互连导线之后的多个芯片放置于涂胶装置上涂上钝化胶、固化,实现对多个芯片的钝化,即完成对多个芯片的平面封装。
2.根据权利要求1所述的用于多芯片平面封装的方法,其特征在于:所述的方案A或方案B中,所述的拼放装置均包括拼放台、驱动控制系统、定位装置、用于搬运芯片的机械手装置,在步骤(1)的拼放工序中,首先调节定位装置上的基准位置,并保持该基准位置固定不变;其次,根据预加工产品的设定要求,将多个芯片在预加工产品中的对应坐标值输入到驱动控制系统中,该驱动控制系统通过输入的坐标值以及所述的基准位置值计算得出机械手装置在搬运各个芯片时所移动的路线值;第三、通过上述的定位装置将其中的一个芯片进行起始定位,即使得该个芯片上的标记位置与所述的定位装置上的基准位置相对准;第四、利用上述的驱动控制系统驱使机械手装置抓取已完成起始定位的该个芯片,并根据所述的驱动控制系统中计算出的对应该个芯片的路线值驱使机械手装置将该个芯片搬运到拼放台的对应坐标位置处;第五,重复上述的步骤将其余的芯片也按照上述方式放置,即完成多个芯片的拼放工序。
3.根据权利要求1所述的用于多芯片平面封装的方法,其特征在于:所述的方案A或方案B中,在步骤(2)的粘接工序中的填缝过程是通过点胶设备在芯片缝隙处点胶来实现的。
4.根据权利要求1所述的用于多芯片平面封装的方法,其特征在于:所述的方案A或方案B中,在步骤(2)的粘接工序中的转移过程是用真空过渡盘吸取芯片正面来实现的。
5.根据权利要求1所述的用于多芯片平面封装的方法,其特征在于:所述的方案A或方案B中,在步骤(2)的粘接工序中的粘接过程在真空环境下完成,且粘接时要对基板和芯片均匀施压。
6.根据权利要求1所述的用于多芯片平面封装的方法,其特征在于:所述的方案A或方案B中,所述粘接材料为胶水或是双面胶带。
7.根据权利要求1所述的用于多芯片平面封装的方法,其特征在于:所述的方案A或方案B中,在步骤(4)的钝化工序中,涂上钝化胶后,要用掩模版曝光,在基板上曝露出指定的连接点。
8.根据权利要求1或2或3或4或5或6或7所述的用于多芯片平面封装的方法,其特征在于:所述的芯片为CMOS功能块、CCD功能块或LCD功能块。
9.根据权利要求1或2或3或4或5或6或7所述的用于多芯片平面封装的方法,其特征在于:所述的基板材质为玻璃、陶瓷、半导体、塑料或金属。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造